屏蔽栅极PowerTrench® MOSFET

安森美半导体屏蔽栅极PowerTrench® MOSFET是100V N沟道MV MOSFET，采用集成了屏蔽栅极技术的先进PowerTrench®工艺研发而成。 这些MOSFET将通态电阻(RDSON)和反向恢复电荷(Qrr)降至最低，以提供出色的开关性能和效率。 小栅极电荷(QG)、小反向恢复电荷(Qrr)和品质因数(FOM)确保同步整流应用的快速切换。 这些器件的电压过冲很小甚至没有，降低了电压振铃，并减少了EMI，适用于电源和电机驱动等要求额定电压为100V的MOSFET的应用。 此外，MOSFET提高了功率密度，使MOSFET能够更大幅地降额。 这些器件100%经过UIL测试，可采用MSL1稳健封装设计。
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结果: 4
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数量 RoHS ECAD模型 技术
安装风格
封装 / 箱体
晶体管极性
通道数量
Vds-漏源极击穿电压
Id-连续漏极电流
Rds On-漏源导通电阻
Vgs - 栅极-源极电压
Vgs th-栅源极阈值电压
Qg-栅极电荷
最小工作温度
最大工作温度
Pd-功率耗散
通道模式
商标名
封装
onsemi MOSFET 100V/20V N-Channel PTNG MOSFET
数据表
1,075库存量
3,000预期 2026/12/11
MouseReel 提供服务支持
最低： 1
倍数： 1
最大： 1,010
: 3,000

Si SMD/SMT Power-56-8 N-Channel 1 Channel 100 V 151 A 2.4 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 84 nC - 55 C + 150 C 138 W Enhancement PowerTrench Reel, Cut Tape, MouseReel
onsemi MOSFET PTNG 100/20V Nch Power Trench Mosfet
数据表
12,756库存量
9,000在途量
MouseReel 提供服务支持
最低： 1
倍数： 1
最大： 3,000
: 3,000

Si SMD/SMT Power-56-8 N-Channel 1 Channel 100 V 51 A 9.9 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 21 nC - 55 C + 150 C 63 W Enhancement PowerTrench Reel, Cut Tape, MouseReel
onsemi MOSFET 100V/20V N-Chnl Power Trench MOSFET
数据表
17,406在途量
MouseReel 提供服务支持
最低： 1
倍数： 1
最大： 3,000
: 3,000

Si SMD/SMT Power-56-8 N-Channel 1 Channel 100 V 124 A 12 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 42 nC - 55 C + 150 C 125 W Enhancement PowerTrench Reel, Cut Tape, MouseReel
onsemi MOSFET PTNG 100/20V Nch Power Trench MOSFET
数据表
4,862预期 2027/4/16
MouseReel 提供服务支持
最低： 1
倍数： 1
: 3,000
Si SMD/SMT Power-56-8 N-Channel 1 Channel 100 V 78 A 5.9 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 37 nC - 55 C + 150 C 83 W Enhancement PowerTrench Reel, Cut Tape, MouseReel