SIRS5700DP-T1-RE3

Vishay
78-SIRS5700DP-T1-RE3
SIRS5700DP-T1-RE3

制造商：

说明：
MOSFET N-CH 150V Vds 20Vgs 144A Rds .0062

数据表:
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库存量: 2,588

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¥-.--
总价:
¥-.--
预估关税:
封装:
整卷卷轴（请按3000的倍数订购）

定价 (含13% 增值税)

数量 单价
总价
剪切带/MouseReel™ †
¥38.9624 ¥38.96
¥25.8092 ¥258.09
¥19.6846 ¥1,968.46
¥17.1195 ¥8,559.75
¥16.6223 ¥16,622.30
整卷卷轴（请按3000的倍数订购）
¥14.2267 ¥42,680.10
¥14.0572 ¥84,343.20
† ¥15.00 MouseReel™费将被加上并在购物车计算。所有MouseReel™订单均不可撤消和退回。 ↩

产品属性 属性值 选择属性
Vishay
产品种类: MOSFET
RoHS:  
REACH - SVHC:
Si
SMD/SMT
SO-8
N-Channel
1 Channel
150 V
144 A
5.6 mOhms
- 20 V, 20 V
4 V
73 nC
- 55 C
+ 150 C
278 W
Enhancement
Reel
Cut Tape
MouseReel
商标: Vishay
配置: Single
下降时间: 25 ns
正向跨导 - 最小值: 122 S
产品类型: MOSFETs
上升时间: 21 ns
系列: SiRS5700DP
工厂包装数量: 3000
子类别: Transistors
晶体管类型: 1 N-Channel
典型关闭延迟时间: 40 ns
典型接通延迟时间: 20 ns
找到的产品:
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已选择的属性: 0

数据表

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CNHTS:
8541290000
TARIC:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
854129000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99

SiRS5700DP N 沟道 150 V (D-S) MOSFET

Vishay SiRS5700DP N沟道150V（D-S）MOSFET是一款TrenchFET®第五代功率MOSFET，具有非常低的RDS x Qg 品质因数（FOM）。Vishay SiRS5700DP优化了功率效率，器件的RDS(on) 可最大限度地降低导通期间的功率损耗，确保高效运行。该MOSFET经过100% Rg 和UIS测试，确保可靠性。该器件还可增强功率耗散并降低热阻（RthJC），因此非常适用于高性能应用。

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