QPD2560L

Name: Qorvo QPD2560L
Brand: Qorvo
SKU: 772-QPD2560L
Price: 5996.15 RMB
Availability: InStock

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Mouser编号：

772-QPD2560L

制造商编号：

QPD2560L

制造商：

Qorvo

说明：

GaN 场效应晶体管 1-1.5 GHz, 300W, NI-650

寿命周期:

新产品:

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数据表:

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产品属性	属性值	选择属性
制造商:	Qorvo
产品种类:	GaN 场效应晶体管
RoHS:
封装 / 箱体:	NI-650
Id-连续漏极电流:	33 A
Vgs - 栅极-源极电压:	- 2.8 V
最小工作温度:	- 40 C
最大工作温度:	+ 85 C
Pd-功率耗散:	285 W
商标:	Qorvo
开发套件:	QPD2560LEVB
最大漏极/栅极电压:	50 V
最大工作频率:	1.5 GHz
最小工作频率:	1 GHz
输出功率:	338 W
产品类型:	GaN FETs
系列:	QPD2560
工厂包装数量:	25
子类别:	Transistors
技术:	GaN, SiC
Vgs-栅源极击穿电压 :	145 V

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数据表

QPD2560L 数据表 (PDF)

合规代码

CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
KRHTS:: 8541299000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

原产地分类

原产国:: 美国
组装原产国/地区:: 不可用
扩散国家:: 不可用

发货时，国家/地区可能会发生变化。

QPD2560L 300W GaN/SiC HEMT

Qorvo QPD2560L 300W GaN/SiC HEMT是一款大功率GaN-on-SiC高电子迁移率晶体管（HEMT），设计用于满足L频带应用需求，工作频率范围为1.0GHz至1.5GHz。Qorvo QPD2560L经过精心设计，可提供强大的RF性能，饱和输出功率高达55.4dBm，大信号增益为15dB，漏极效率为65%，因此该HEMT非常适合连续波（CW）和脉冲操作。