DMT26M0LDG非对称双N沟道MOSFET

Diodes Inc. DMT26M0LDG非对称双N沟道MOSFET设计用于将导通电阻[RDS(ON)]降至最低，同时保持卓越的开关性能。这些MOSFET的汲极/源极击穿电压 (BVDSS) 为25V。Q1的静态汲极/源极导通电阻[RDS(ON)]在VGS = 10V时为6mΩ，VGS = 4.5V时为7.5mΩ；而Q2在VGS = 10V时为2.0mΩ，VGS = 4.5V为3.1mΩ。Q1的漏极连续电流 (ID) 额定值在VGS = 10V时为11.6A，VGS = 4.5V时为10.4A；而Q2在VGS = 10V时为20.1A，VGS = 4.5V时为16.1A。这些参数使得Diodes Inc. DMT26M0LDG器件非常适合高效的电源管理应用。

结果: 2
选择 图像 零件编号
 制造商
描述 数据表 供货情况 单价（含13%增值税） 根据您的数量，按照单价筛选表格中的结果。
数量 RoHS ECAD模型 技术
安装风格
封装 / 箱体
晶体管极性
通道数量
Vds-漏源极击穿电压
Id-连续漏极电流
Rds On-漏源导通电阻
Vgs - 栅极-源极电压
Vgs th-栅源极阈值电压
Qg-栅极电荷
最小工作温度
最大工作温度
Pd-功率耗散
通道模式
封装
Diodes Incorporated MOSFET MOSFET BVDSS: 25V~30V PowerDI3333-8 T&R 3K
数据表
2,860预期 2026/7/17
MouseReel 提供服务支持
最低： 1
倍数： 1
: 3,000

Si SMD/SMT PowerDI3333-8 N-Channel 2 Channel 25 V 11.6 A, 20.1 A 7.5 Ohms - 12 V, 12 V 2.2 V 7.1 nC, 15.9 nC - 55 C + 150 C 1.24 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Diodes Incorporated MOSFET MOSFET BVDSS: 25V~30V PowerDI3333-8 T&R 2K
数据表
更多信息可用

Si SMD/SMT PowerDI3333-8 N-Channel 2 Channel 25 V 11.6 A, 20.1 A 7.5 Ohms - 12 V, 12 V 2.2 V 7.1 nC, 15.9 nC - 55 C + 150 C 1.24 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel