带共漏极的集成MOSFET

Vishay带共漏极的集成MOSFET是采用表面贴装的1、2和3通道器件。集成MOSFET具有N通道和N+P通道选项，以及20V至200V的击穿电压范围。增强型MOSFET具有6或8个引脚，功耗范围为1.5W至69.4W，漏源电阻为2.15mΩ至26mΩ。

结果: 6
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数量 RoHS ECAD模型 技术
安装风格
封装 / 箱体
晶体管极性
通道数量
Vds-漏源极击穿电压
Id-连续漏极电流
Rds On-漏源导通电阻
Vgs - 栅极-源极电压
Vgs th-栅源极阈值电压
Qg-栅极电荷
最小工作温度
最大工作温度
Pd-功率耗散
通道模式
商标名
封装
Vishay Semiconductors MOSFET Nch 60V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8SCD
数据表
3,586库存量
MouseReel 提供服务支持
最低： 1
倍数： 1
: 3,000

Si SMD/SMT PowerPAK-1212SCD-8 N-Channel 2 Channel 60 V 20 A 13 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 22 nC - 55 C + 150 C 69.4 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay Semiconductors MOSFET 30V (S1-S2) Cmn Drn PowerPAK 1212-8SCD
数据表
15,074库存量
MouseReel 提供服务支持
最低： 1
倍数： 1
: 3,000

Si SMD/SMT PowerPAK-1212-8SCD-8 N-Channel 2 Channel 30 V 60 A 4.2 mOhms - 16 V, 20 V 2.1 V 53 nC - 55 C + 150 C 69.4 W Enhancement TrenchFET, PowerPAK Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay Semiconductors MOSFET PPAK1212 2NCH 25V 30.5A
数据表
2,966库存量
最低： 1
倍数： 1
: 3,000

Si SMD/SMT PowerPAK-1212-8 N-Channel 1 Channel 30 V 40 A 2.15 mOhms - 16 V, 20 V 1.1 V 51 nC - 55 C + 150 C 52 W Enhancement PowerPAK Ammo Pack
Vishay Semiconductors MOSFET N-CHANNEL 30V(S1-S2) PowerPAK 1212-8F
数据表
613库存量
MouseReel 提供服务支持
最低： 1
倍数： 1
: 3,000

Si SMD/SMT PowerPAK-1212-8 N-Channel 2 Channel 30 V 108 A 4 mOhms - 12 V, 16 V 2.3 V 40 nC - 55 C + 150 C 69.4 W Enhancement TrenchFET Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay Semiconductors MOSFET 24V Vds 12V Vgs MICRO FOOT 2.4 x 1.6
数据表
无库存
最低： 6,000
倍数： 3,000
: 3,000

Si SMD/SMT MicroFoot-6 N-Channel 1 Channel 24 V 11 A 28 mOhms - 12 V, 12 V 400 mV - 55 C + 150 C 5.7 W Enhancement Reel
Vishay Semiconductors MOSFET 40-V N- & P-CH COMMON DRAIN + 200-V
数据表
无库存
最低： 2,000
倍数： 2,000
: 2,000

Si SMD/SMT Triple die N-Channel, P-Channel 3 Channel 40 V, 200 V 20 A, 30 A 9.2 mOhms, 30 mOhms, 60 mOhms - 25 V, 25 V 1.5 V, 2.5 V 14 nC, 23 nC, 30.2 nC - 55 C + 175 C 48 W, 60 W Enhancement TrenchFET Reel