NVBYST0D6N08X 80 V N沟道功率MOSFET

安森美 (onsemi) NVBYST0D6N08X 80V N沟道功率MOSFET具有低QRR和软恢复体二极管，采用TCPAK1012 (TopCool) 封装。该MOSFET具有低RDS(on)，以最大限度地减少导通损耗，并具有低QG和电容，以最大限度地减少驱动器损耗。安森美 (onsemi) NVBYST0D6N08X符合AEC-Q101标准，支持PPAP，无铅，无卤素/无溴化阻燃剂 (BFR)，符合RoHS标准。该MOSFET的典型应用是DC-DC和AC-DC中同步整流 (SR)、隔离式DC-DC转换器中一次侧开关、电机驱动器和汽车48V系统。

结果: 2
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数量 RoHS ECAD模型 技术
安装风格
封装 / 箱体
晶体管极性
通道数量
Vds-漏源极击穿电压
Id-连续漏极电流
Rds On-漏源导通电阻
Vgs - 栅极-源极电压
Vgs th-栅源极阈值电压
Qg-栅极电荷
最小工作温度
最大工作温度
Pd-功率耗散
通道模式
商标名
封装
onsemi MOSFET PowerTrench T10 80V in TCPAK1012 package - 0.64 m?
数据表
980库存量
最低： 1
倍数： 1
卷轴: 1,500

Si SMD/SMT TCPAK1012 N-Channel 1 Channel 80 V 767 A 640 uOhms - 20 V, 20 V 3.6 V 228 nC - 55 C + 175 C 750 W Enhancement PowerTrench Reel, Cut Tape
onsemi NVBYST0D8N08XTXG
onsemi MOSFET PowerTrench T10 80V in TCPAK1012 package - 0.64 m
数据表

PowerTrench