TC6321T-V/9U

Microchip Technology
579-TC6321T-V/9U
TC6321T-V/9U

制造商：

说明：
MOSFET THERMAL. ENHANCED COMP. 200V N & P CH. MOSFET PAIR
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总价:
¥-.--
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总价
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产品属性 属性值 选择属性
Microchip
产品种类: MOSFET
RoHS:  
Si
SMD/SMT
VDFN-8
N-Channel, P-Channel
2 Channel
200 V
2 A
7 Ohms, 8 Ohms
1 V, 2.4 V
- 40 C
+ 150 C
Enhancement
Reel
商标: Microchip Technology
配置: Dual
下降时间: 15 ns, 15 ns
湿度敏感性: Yes
产品类型: MOSFETs
上升时间: 15 ns, 15 ns
系列: TC6321
工厂包装数量: 3300
子类别: Transistors
晶体管类型: 1 N-Channel, 1 P-Channel
典型关闭延迟时间: 20 ns, 20 ns
典型接通延迟时间: 10 ns, 10 ns
单位重量: 145 mg
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已选择的属性: 0

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CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
8541290100
KRHTS:
8541299000
TARIC:
8541290000
MXHTS:
85412999
ECCN:
EAR99

TC6321 N通道和P通道MOSFET对

Microchip TC6321 N通道和P通道MOSFET对集成了栅极源极电阻器和栅极源极齐纳二极管钳位。 该MOSFET对设计用于开关和放大需要高电压、大电流驱动以及快速开关速度的应用。 TC6321与MD12xx、MD17xx或MD18xx超声波MOSFET驱动器配对，可形成高速和高电压脉冲发生器电路。 脉冲发生器 电路。  TC6321 MOSFET的工作温度范围为-40ºC至150ºC，VDS 范围为-200V至200V。 TC6321 MOSFET对采用先进的垂直DMOS结构和硅栅制造工艺。 该组合可实现双极晶体管的功率处理能力，以及MOS器件固有的高输入阻抗和正温度系数。
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