CoolGaN™ Drive HB 600V G5开关

英飞凌CoolGaN™ Drive HB 600V G5开关集成采用两个600V增强型CoolGaN开关（导通电阻选项：140mΩ、270mΩ或500mΩ）的半桥功率级。这些开关包含内置栅极驱动器，采用紧凑的6mm × 8mm TFLGA-27封装。这些开关设计用于低功率/中等功率应用，非常适合用于高密度电机驱动器和开关模式电源 (SMPS)，发挥出CoolGaN技术优异的开关性能。英飞凌’s CoolGaN开关具有稳健的栅极结构，确保在“通”态下连续栅极驱动电流仅几个毫安时的导通电阻能极小。

结果: 3
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数量 RoHS ECAD模型 产品
类型
安装风格
封装 / 箱体
激励器数量
输出端数量
输出电流
电源电压-最小
电源电压-最大
上升时间
下降时间
最小工作温度
最大工作温度
封装
Infineon Technologies 栅极驱动器 140 mohm / 600 V GaN transistor in half-bridge configuration with integrated level-shift gate driver and bootstrap diode
数据表
2,098库存量
最低： 1
倍数： 1
卷轴: 3,000

Gate Driver High-Side, Low-Side SMD/SMT TFLGA-27 2 Driver 1 Output 290 mA, 700 mA 10 V 20 V 70 ns 35 ns - 40 C + 150 C Reel, Cut Tape
Infineon Technologies 栅极驱动器 270 mohm / 600 V GaN transistor in half-bridge configuration with integrated level-shift gate driver and bootstrap diode
数据表
2,093库存量
最低： 1
倍数： 1
卷轴: 3,000

Gate Driver High-Side, Low-Side SMD/SMT TFLGA-27 2 Driver 1 Output 290 mA, 700 mA 10 V 20 V 70 ns 35 ns - 40 C + 150 C Reel, Cut Tape
Infineon Technologies 栅极驱动器 500 mohm / 600 V GaN transistor in half-bridge configuration with integrated level-shift gate driver and bootstrap diode
数据表
3,000在途量
最低： 1
倍数： 1
卷轴: 3,000

Gate Driver High-Side, Low-Side SMD/SMT TFLGA-27 2 Driver 1 Output 290 mA, 700 mA 10 V 20 V 70 ns 35 ns - 40 C + 150 C Reel, Cut Tape