CoolGaN™ Drive HB 600V G5开关

英飞凌CoolGaN™ Drive HB 600V G5开关集成采用两个600V增强型CoolGaN开关(导通电阻选项:140mΩ、270mΩ或500mΩ)的半桥功率级。这些开关包含内置栅极驱动器,采用紧凑的6mm × 8mm TFLGA-27封装。这些开关设计用于低功率/中等功率应用,非常适合用于高密度电机驱动器和开关模式电源 (SMPS),发挥出CoolGaN技术优异的开关性能。英飞凌’s CoolGaN开关具有稳健的栅极结构,确保在“通”态下连续栅极驱动电流仅几个毫安时的导通电阻能极小。

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选择 图像 零件编号 制造商 描述 数据表 供货情况 单价(含13%增值税) 根据您的数量,按照单价筛选表格中的结果。 数量 RoHS ECAD模型 安装风格 封装 / 箱体 Rds On-漏源导通电阻 最小工作温度 最大工作温度 商标名
Infineon Technologies GaN 场效应晶体管 140 mohm / 600 V GaN transistor in half-bridge configuration with integrated level-shift gate driver and bootstrap diode 2,352库存量
最低: 1
倍数: 1
: 3,000

SMD/SMT TFLGA-27 170 mOhms - 40 C + 150 C CoolGaN
Infineon Technologies GaN 场效应晶体管 270 mohm / 600 V GaN transistor in half-bridge configuration with integrated level-shift gate driver and bootstrap diode 2,371库存量
最低: 1
倍数: 1
: 3,000

SMD/SMT TFLGA-27 170 mOhms - 40 C + 150 C CoolGaN
Infineon Technologies GaN 场效应晶体管 500 mohm / 600 V GaN transistor in half-bridge configuration with integrated level-shift gate driver and bootstrap diode 2,082库存量
最低: 1
倍数: 1
: 3,000

SMD/SMT TFLGA-27 170 mOhms - 40 C + 150 C CoolGaN
Infineon Technologies GaN 场效应晶体管 CoolGaN Drive HB 600 V G5 45库存量
3,000预期 2026/7/9
最低: 1
倍数: 1
: 3,000
SMD/SMT TFLGA-27 - 40 C + 150 C CoolGaN