STD80N240K6

Name: STMicroelectronics STD80N240K6
Brand: STMicroelectronics
SKU: 511-STD80N240K6
Price: 37.84 RMB
Availability: InStock

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Mouser编号：

511-STD80N240K6

制造商编号：

STD80N240K6

制造商：

STMicroelectronics

说明：

MOSFET N-channel 800 V, 197 mOhm typ., 16 A MDmesh K6 Power MOSFET in a DPAK package

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库存量: 364

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预期 2026/8/17
生产周期：: 13

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¥-.--

总价:

¥-.--

预估关税:

封装:

整卷卷轴（请按2500的倍数订购）

剪切带

MouseReel™ (+¥15.00)

定价 (含13% 增值税)

数量	单价	总价
剪切带/MouseReel™ ^†
	¥42.7592	¥42.76
	¥31.3462	¥313.46
	¥25.312	¥2,531.20
	¥22.4983	¥11,249.15
	¥19.2778	¥19,277.80
整卷卷轴（请按2500的倍数订购）
	¥19.2778	¥48,194.50

† ¥15.00 MouseReel™费将被加上并在购物车计算。所有MouseReel™订单均不可撤消和退回。 ↩

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

产品属性	属性值	选择属性
制造商:	STMicroelectronics
产品种类:	MOSFET
RoHS:
技术:	Si
安装风格:	SMD/SMT
晶体管极性:	N-Channel
通道数量:	1 Channel
Vds-漏源极击穿电压:	800 V
Id-连续漏极电流:	16 A
Rds On-漏源导通电阻:	220 Ohms
Vgs - 栅极-源极电压:	- 30 V, 30 V
Vgs th-栅源极阈值电压:	4 V
Qg-栅极电荷:	25.9 nC
最小工作温度:	- 55 C
最大工作温度:	+ 150 C
Pd-功率耗散:	105 W
通道模式:	Enhancement
封装:	Reel
封装:	Cut Tape
封装:	MouseReel
商标:	STMicroelectronics
产品类型:	MOSFETs
工厂包装数量:	2500
子类别:	Transistors
单位重量:	330 mg

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CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

N沟道MDmesh K6功率MOSFET

STMicroelectronics N沟道MDmesh K6功率MOSFET具有齐纳保护和100%雪崩测试。这些功率MOSFET的汲极/源极击穿电压最小为800V，±30V栅极/源极电压，工作结温范围为-55°C至150°C。MDmesh K6功率MOSFET还具有5V/ns峰值二极管恢复电压斜坡、100A/µs峰值二极管恢复电流斜坡以及120V/ns MOSFET dv/dt的坚固性。典型应用包括笔记本电脑和一体机、反激式转换器、平板电脑适配器和LED灯。

STD80N240K6 800V 16A MDmesh K6功率MOSFET

STMicroelectronics STD80N240K6 800V 16A MDmGuard™ K6功率MOSFET具有出色的R_DS(on) x 面积和低总栅极电荷（Q_g），可实现高开关速度和低损耗。集成ESD保护二极管提高了STD80N240K6 MOSFET的整体耐用性，高达2类人体模型（HBM）。与上一代的MDmesh K5相比，MDmesh K6 MOSFET具有更低的阈值电压，可实现更低的驱动电压，从而降低功耗并提高效率，主要用于零瓦待机应用。STD80N240K6优化用于基于反激式拓扑的照明应用，例如LED驱动器和HID灯。该器件还非常适用于平板显示器的适配器和电源。