SuperFET® II 功率 MOSFET

仙童 SuperFET® 功率 MOSFET 是新一代获取专利的高压 MOSFET 器件系列,采用了先进的电荷平衡机制,实现了出色的低导通电阻和更低栅极电荷的性能。这种先进的技术经过量身定制,可降低导通损耗、提供出色的开关性能、承受极端 dv/dt 比率和更高的雪崩能量。SuperFET® II MOSFET 适用于在交换模式操作下的各种交流/直流电源转换,实现系统的小型化和更高的效率。
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选择 图像 零件编号 制造商 描述 数据表 供货情况 单价(含13%增值税) 根据您的数量,按照单价筛选表格中的结果。 数量 RoHS ECAD模型 技术 安装风格 封装 / 箱体 晶体管极性 通道数量 Vds-漏源极击穿电压 Id-连续漏极电流 Rds On-漏源导通电阻 Vgs - 栅极-源极电压 Vgs th-栅源极阈值电压 Qg-栅极电荷 最小工作温度 最大工作温度 Pd-功率耗散 通道模式 商标名 封装

onsemi MOSFET 800V 8A NChn MOSFET SuperFET II, FRFET 486库存量
最低: 1
倍数: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 800 V 8 A 850 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 22 nC - 55 C + 150 C 136 W Enhancement SuperFET II Tube
onsemi MOSFET N-Channel SuperFET II MOSFET 217库存量
最低: 1
倍数: 1
卷轴: 3,000

Si SMD/SMT Power-88-4 N-Channel 1 Channel 600 V 12 A 299 mOhms - 20 V, 20 V 3.5 V 39 nC - 55 C + 150 C 125 W Enhancement SuperFET II Reel, Cut Tape, MouseReel

onsemi MOSFET N-Channel SuperFET II FRFET MOSFET
798预期 2026/4/17
最低: 1
倍数: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 650 V 24 A 150 mOhms - 20 V, 20 V 5 V 72 nC - 55 C + 150 C 298 W Enhancement SuperFET II FRFET Tube