750V EDT2分立式IGBT

英飞凌  750V电力驱动总成2 (EDT2) 分立式IGBT让用户利用前沿的EDT2技术和创新的TO-247PLUS SMD封装。TO-247PLUS SMD封装在极端条件下提供无与伦比的性能,为可靠、高效且经济的半导体解决方案铺平了道路。750V EDT2分立式IGBT采用TO-247PLUS SMD封装,支持 回流焊和不分层设计。这种首创的无分层封装采用TO-247占位面积,将200A 750V IGBT与3针200A 750V二极管封装在了一起。750V EDT2分立式IGBT非常适合用于建筑、商业、建筑与农业车辆 (CAV)、 卡车与公共汽车、通用型驱动器 (GPD) 以及电机驱动 应用。

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选择 图像 零件编号 制造商 描述 数据表 供货情况 单价(含13%增值税) 根据您的数量,按照单价筛选表格中的结果。 数量 RoHS ECAD模型 技术 封装 / 箱体 安装风格 配置 集电极—发射极最大电压 VCEO 集电极—射极饱和电压 栅极/发射极最大电压 在25 C的连续集电极电流 Pd-功率耗散 最小工作温度 最大工作温度 系列 封装
Infineon Technologies 绝缘栅双极晶体管(IGBT) 750 V, 120 A Industrial discrete EDT2 IGBT with anti-parallel diode in TO-247PLUS SMD package 129库存量
最低: 1
倍数: 1

Si TO-247-3 Through Hole Single 750 V 1.65 V - 20 V, 20 V 150 A 577 W - 40 C + 175 C IKQBXN75CP2 Tube
Infineon Technologies 绝缘栅双极晶体管(IGBT) 750 V, 160 A Industrial discrete EDT2 IGBT with anti-parallel diode in TO-247PLUS SMD package 150库存量
最低: 1
倍数: 1

Si TO-247-3 Through Hole Single 750 V 1.65 V - 20 V, 20 V 200 A 750 W - 40 C + 175 C IKQBXN75CP2 Tube


Infineon Technologies 绝缘栅双极晶体管(IGBT) 750 V, 200 A Industrial discrete EDT2 IGBT with anti-parallel diode in TO-247PLUS SMD package 194库存量
最低: 1
倍数: 1

Si TO-247-3 Through Hole Single 750 V 1.65 V - 20 V, 20 V 200 A 937 W - 40 C + 175 C IKQBXN75CP2 Tube