STN6N60M2

Name: STMicroelectronics STN6N60M2
Brand: STMicroelectronics
SKU: 511-STN6N60M2
Price: 8.2 RMB
Availability: InStock

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Mouser编号：

511-STN6N60M2

制造商编号：

STN6N60M2

制造商：

STMicroelectronics

说明：

MOSFET N-channel 600 V, 1.00 Ohm typ., 5.5 A MDmesh M2 Power MOSFET in a SOT223-2 packa

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产品属性	属性值	选择属性
制造商:	STMicroelectronics
产品种类:	MOSFET
RoHS:
技术:	Si
安装风格:	SMD/SMT
晶体管极性:	N-Channel
通道数量:	1 Channel
Vds-漏源极击穿电压:	600 V
Id-连续漏极电流:	5.5 A
Rds On-漏源导通电阻:	1.2 Ohms
Vgs - 栅极-源极电压:	25 V
Vgs th-栅源极阈值电压:	4 V
Qg-栅极电荷:	6.2 nC
最小工作温度:	- 55 C
最大工作温度:	+ 150 C
Pd-功率耗散:	6 W
通道模式:	Enhancement
商标名:	MDmesh
封装:	Reel
封装:	Cut Tape
封装:	MouseReel
商标:	STMicroelectronics
产品类型:	MOSFETs
工厂包装数量:	4000
子类别:	Transistors
单位重量:	110 mg

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PCN

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合规代码

CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

原产地分类

原产国:: 新加坡
组装原产国/地区:: 不可用
扩散国家:: 不可用

发货时，国家/地区可能会发生变化。

STN6N60M2 MDmesh M2功率MOSFET

STMicroelectronics STN6N60M2 MDmesh M2功率MOSFET是一款N沟道功率MOSFET，具有低导通电阻和经过优化的开关特性。该功率MOSFET采用MDmesh M2技术开发。STN6N60M2 MOSFET具有极低的栅极电荷和出色的输出电容 (C_oss) 曲线。该功率MOSFET具有齐纳保护功能，100%经过雪崩测试。STN6N60M2 MOSFET非常适合用于开关应用。

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库存量: 612

库存：: 612

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在途量:: 32,000

预期 2027/2/5
生产周期：: 24

周大于所示数量的预计工厂生产时间。

本产品所报告的交付时间长。

输入数量：

最少： 1 倍数： 1

单价:

¥-.--

总价:

¥-.--

预估关税:

封装:

整卷卷轴（请按4000的倍数订购）

剪切带

MouseReel™ (+¥15.00)

定价 (含13% 增值税)

数量	单价	总价
剪切带/MouseReel™ ^†
	¥9.266	¥9.27
	¥4.8703	¥48.70
	¥3.7403	¥374.03
	¥2.938	¥1,469.00
	¥2.6442	¥2,644.20
	¥2.3504	¥4,700.80
整卷卷轴（请按4000的倍数订购）
	¥2.0792	¥8,316.80
	¥1.9097	¥15,277.60

† ¥15.00 MouseReel™费将被加上并在购物车计算。所有MouseReel™订单均不可撤消和退回。 ↩

STN6N60M2

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