NXH010P120MNF1 SiC模块

安森美 (onsemi)  NXH010P120MNF1碳化硅模块在F1模块中包含一个10mΩ 1200V碳化硅MOSFET半桥和一个NTC热敏电阻。该模块的建议栅极电压为18V-20V。NXH010P120MNF1在更高电压下具有改进的RDS(ON)，热阻低。

结果: 4
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数量 RoHS ECAD模型 技术
安装风格
封装 / 箱体
晶体管极性
Vds-漏源极击穿电压
Id-连续漏极电流
Rds On-漏源导通电阻
Vgs - 栅极-源极电压
Vgs th-栅源极阈值电压
最小工作温度
最大工作温度
Pd-功率耗散
系列
封装

onsemi MOSFET模块 PIM F1 SIC HALFBRIDGE 1200V 10MOHM(NI-PLATED)
数据表
23库存量
最低： 1
倍数： 1
SiC NXH010P120MNF1 Tray

onsemi MOSFET模块 PIM F1 SIC HALFBRIDGE 1200V 10MOHM(NI-PLATED + TIM)
数据表
1,148工厂有库存
更多信息可用
最低： 28
倍数： 28
SiC Press Fit - 15 V, + 25 V - 40 C + 150 C NXH010P120MNF1 Tray

onsemi MOSFET模块 PIM F1 SIC HALFBRIDGE 1200V 10MOHM
数据表
56工厂有库存
更多信息可用
最低： 1
倍数： 1
SiC Press Fit Module N-Channel 1.2 kV 114 A 14 mOhms - 15 V, + 25 V 1.8 V - 40 C + 150 C 413 W NXH010P120MNF1 Tray
onsemi MOSFET模块 PIM F1 SIC HALFBRIDGE 1200V 10MOHM
数据表
168工厂有库存
更多信息可用
最低： 1
倍数： 1

SiC Press Fit - 15 V, + 25 V - 40 C + 150 C NXH010P120MNF1 Tray