Dtmosvi MOSFET

Toshiba DTMOSVI系列MOSFET具有低漏极-源极导通电阻 (RDS(ON)= 0.033 Ω（典型值）)。这些器件具有650V漏源电压和57A漏极电流。DTMOSVI系列MOSFET具有高速开关特性和较低电容。这些MOSFET非常适合用于开关电源应用。

结果: 16
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数量 RoHS ECAD模型 技术
安装风格
封装 / 箱体
晶体管极性
通道数量
Vds-漏源极击穿电压
Id-连续漏极电流
Rds On-漏源导通电阻
Vgs - 栅极-源极电压
Vgs th-栅源极阈值电压
Qg-栅极电荷
最小工作温度
最大工作温度
Pd-功率耗散
通道模式
商标名
封装
Toshiba MOSFET POWER MOSFET TRANSISTOR TOLL PD=230W F=1MHZ
数据表
1,058库存量
MouseReel 提供服务支持
最低： 1
倍数： 1
卷轴: 2,000

Si SMD/SMT 2-10AF1A-9 N-Channel 1 Channel 650 V 30 A 70 mOhms - 30 V, 30 V 4 V 47 nC - 55 C + 150 C 230 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba MOSFET 230W 1MHz 8x8DFN
数据表
7,399库存量
MouseReel 提供服务支持
最低： 1
倍数： 1
卷轴: 2,500

Si SMD/SMT DFN8x8-5 N-Channel 1 Channel 650 V 30 A 99 mOhms - 30 V, 30 V 4 V 47 nC - 55 C + 150 C 230 W Enhancement DTMOSVI Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba MOSFET Pb-F POWER MOSFET TRANSISTOR DPAK PD=80W F=1MHZ
数据表
351库存量
MouseReel 提供服务支持
最低： 1
倍数： 1
卷轴: 2,000

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 500 V 9.7 A 430 mOhms - 30 V, 30 V 2.7 V 20 nC - 55 C + 150 C 80 W Enhancement DTMOSVI Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba MOSFET POWER MOSFET TRANSISTOR TOLL PD=130W F=1MHZ
数据表
2,000库存量
MouseReel 提供服务支持
最低： 1
倍数： 1
卷轴: 2,000

Si SMD/SMT 2-10AF1A-9 N-Channel 1 Channel 650 V 15 A 149 mOhms - 30 V, 30 V 4 V 25 nC - 55 C + 150 C 130 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba MOSFET POWER MOSFET TRANSISTOR TOLL PD=190W F=1MHZ
数据表
3,792库存量
MouseReel 提供服务支持
最低： 1
倍数： 1
卷轴: 2,000

Si SMD/SMT 2-10AF1A-9 N-Channel 1 Channel 650 V 24 A 86 mOhms - 30 V, 30 V 4 V 40 nC - 55 C + 150 C 190 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel

Toshiba MOSFET Power MOSFET 57A 360W 650V
数据表
1,087库存量
最低： 1
倍数： 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 57 A 40 mOhms - 30 V, 30 V 3 V 105 nC - 55 C + 150 C 360 W Enhancement DTMOSVI Tube
Toshiba MOSFET POWER MOSFET TRANSISTOR TOLL PD=270W F=1MHZ
数据表
1,232库存量
MouseReel 提供服务支持
最低： 1
倍数： 1
卷轴: 2,000

Si SMD/SMT 2-10AF1A-9 N-Channel 1 Channel 650 V 38 A 51 mOhms - 30 V, 30 V 4 V 62 nC - 55 C + 150 C 270 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba MOSFET MOSFET 650V 110mOhms DTMOS-VI
数据表
432库存量
最低： 1
倍数： 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 24 A 110 mOhms - 30 V, 30 V 4 V 40 nC - 55 C + 150 C 190 W Enhancement Tube
Toshiba MOSFET 270W 1MHz TO-247
数据表
59库存量
最低： 1
倍数： 1
卷轴: 30

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 30 A 65 mOhms - 30 V, 30 V 4 V 62 nC - 55 C + 150 C 270 W Enhancement DTMOSVI Reel, Cut Tape
Toshiba MOSFET Pb-F POWER MOSFET TRANSISTOR TO-220SIS PD=45W F=1MHZ
数据表
353库存量
最低： 1
倍数： 1

Si Through Hole TO-220SIS-3 N-Channel 1 Channel 650 V 30 A 90 mOhms - 30 V, 30 V 3 V 47 nC - 55 C + 150 C 45 W Enhancement DTMOSVI Tube
Toshiba MOSFET 230W 1MHz TO-247
数据表
2库存量
最低： 1
倍数： 1
卷轴: 30

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 30 A 90 mOhms - 30 V, 30 V 4 V 47 nC - 55 C + 150 C 230 W Enhancement DTMOSVI Reel, Cut Tape
Toshiba MOSFET 650V DTMOS6-HSD TO-247 95mohm
数据表
30库存量
最低： 1
倍数： 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 29 A 95 mOhms - 30 V, 30 V 4.5 V 50 nC + 150 C 230 W Enhancement Tube
Toshiba MOSFET Pb-F POWER MOSFET TRANSISTOR TO-220AB(OS) PD=130W F=1MHZ
数据表
20库存量
最低： 1
倍数： 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 800 V 9.5 A 550 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 19 nC - 55 C + 150 C 130 W Enhancement DTMOSVI Tube
Toshiba MOSFET 360W 1MHz TO-247-4L(T)
数据表
无库存交货期 20 周
最低： 1
倍数： 1
卷轴: 25

Si Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 650 V 57 A 40 mOhms - 30 V, 30 V 4 V 105 nC - 55 C + 150 C 360 W Enhancement DTMOSVI Reel, Cut Tape
Toshiba MOSFET Pb-F POWER MOSFET TRANSISTOR TO247-4L PD=230W F=1MHZ
数据表
无库存交货期 20 周
最低： 1
倍数： 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 650 V 30 A 90 mOhms - 30 V, 30 V 3 V 47 nC - 55 C + 150 C 45 W Enhancement DTMOSVI Tube
Toshiba MOSFET POWER MOSFET TRANSISTOR TOLL PD=150W F=1MHZ
数据表
无库存交货期 20 周
最低： 2,000
倍数： 2,000
卷轴: 2,000

Si SMD/SMT 2-10AF1A-9 N-Channel 1 Channel 650 V 18 A 122 mOhms - 30 V, 30 V 4 V 29 nC - 55 C + 150 C 150 W Enhancement Reel