SH63N65DM6AG

STMicroelectronics
511-SH63N65DM6AG
SH63N65DM6AG

制造商:

说明:
MOSFET Automotive-grade N-channel 650V, 56 mOhm typ., 53 A MDmesh DM6 Power MOSFET

ECAD模型:
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库存量: 195

库存:
195 可立即发货
生产周期:
14 周 大于所示数量的预计工厂生产时间。
最少: 1   倍数: 1
单价:
¥-.--
总价:
¥-.--
预估关税:
封装:
整卷卷轴(请按200的倍数订购)

定价 (含13% 增值税)

数量 单价
总价
剪切带/MouseReel™
¥181.6475 ¥181.65
¥143.8377 ¥1,438.38
¥104.2199 ¥10,421.99
整卷卷轴(请按200的倍数订购)
¥104.2199 ¥20,843.98
¥86.8518 ¥34,740.72
† ¥15.00 MouseReel™费将被加上并在购物车计算。所有MouseReel™订单均不可撤消和退回。

产品属性 属性值 选择属性
STMicroelectronics
产品种类: MOSFET
RoHS:  
Si
SMD/SMT
ACEPACK SMIT-9
N-Channel
2 Channel
650 V
53 A
64 mOhms
- 25 V, 25 V
4.75 V
80 nC
- 55 C
+ 150 C
424 W
Enhancement
AQG 324
Reel
Cut Tape
MouseReel
商标: STMicroelectronics
配置: Dual
下降时间: 8 ns
湿度敏感性: Yes
产品类型: MOSFETs
上升时间: 8 ns
工厂包装数量: 200
子类别: Transistors
典型关闭延迟时间: 68 ns
典型接通延迟时间: 28 ns
单位重量: 8.200 g
找到的产品:
要显示类似产品,至少选中一个复选框
要显示该类别下的类似产品,请至少选中上方的一个复选框。
已选择的属性: 0

此功能要求启用JavaScript。

CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
854129000
TARIC:
8541290000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99

SH63N65DM6AG功率MOSFET

STMicroelectronics SH63N65DM6AG功率MOSFET是一款汽车级N通道MDmesh DM6半桥拓扑功率MOSFET,提供650V阻断电压。该功率MOSFET符合AQG 324标准, 采用ACEPACK SMIT低电感封装。SH63N65DM6AG功率MOSFET具有极低开关能量、低热阻以及3.4kVrms/min隔离等级。该功率MOSFET具有dice-on直接接合铜 (DBC) 基板,有助于封装提供 低热阻以及隔离式顶部散热焊盘。SH63N65DM6AG MOSFET采用具有高设计灵活性的封装,可通过不同组合的内部电源开关实现多种配置,包括相臂、升压和单开关。该功率MOSFET非常适合用于开关应用。