DMT3006LFDF-7

Diodes Incorporated
621-DMT3006LFDF-7
DMT3006LFDF-7

制造商：

说明：
MOSFET MOSFET BVDSS: 31V-40V

数据表:
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库存量: 866

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866
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预期 2027/3/12
生产周期：
40
周 大于所示数量的预计工厂生产时间。
本产品所报告的交付时间长。
最少： 1   倍数： 1   最多： 1170
单价:
¥-.--
总价:
¥-.--
预估关税:
封装:
整卷卷轴（请按3000的倍数订购）

定价 (含13% 增值税)

数量 单价
总价
剪切带/MouseReel™ †
¥7.6049 ¥7.60
¥4.8251 ¥48.25
¥3.1979 ¥319.79
¥2.5538 ¥1,276.90
¥2.1244 ¥2,124.40
整卷卷轴（请按3000的倍数订购）
¥2.1244 ¥6,373.20
† ¥15.00 MouseReel™费将被加上并在购物车计算。所有MouseReel™订单均不可撤消和退回。 ↩

产品属性 属性值 选择属性
Diodes Incorporated
产品种类: MOSFET
RoHS:  
Si
SMD/SMT
DFN-2020-6
N-Channel
1 Channel
30 V
14.1 A
7 mOhms
- 20 V, 20 V
1 V
16.7 nC
- 55 C
+ 150 C
2.1 W
Enhancement
Reel
Cut Tape
MouseReel
商标: Diodes Incorporated
配置: Single
产品类型: MOSFETs
工厂包装数量: 3000
子类别: Transistors
单位重量: 6.750 mg
找到的产品:
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已选择的属性: 0

合规代码
CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
8541290100
KRHTS:
8541299000
TARIC:
8541290000
MXHTS:
85412999
ECCN:
EAR99
原产地分类
原产国:
中国
组装原产国/地区:
不可用
扩散国家:
不可用
发货时，国家/地区可能会发生变化。

DMTx MOSFET

Diodes Incorporated DMTx MOSFET是N通道增强模式MOSFET，具有低导通电阻和快速开关特性。这些MOSFET还设计用于满足汽车应用的严格要求。Diodes Incorporated DMTx MOSFET非常适合用于高效率电源管理应用。

DMT3006LFDF-7 N通道增强模式MOSFET

Diodes Incorporated DMT3006LFDF-7 MOSFET是一款30V、N通道增强模式MOSFET，具有0.6mm高度和4mm2占位面积。DMT3006LFDF-7 MOSFET符合AEC-Q101高可靠性标准，可最大限度地降低导通电阻，同时保持出色的开关性能。该MOSFET具有5.8mΩ至15mΩ导通电阻、1V至3V栅极阈值电压、12.5A至14.1A连续漏电流以及2.1W功耗。该器件具有如下开关性能：4.6ns关断下降时间、5.5ns导通上升时间、13.5ns（典型值）关断延迟时间、3.5ns（典型值）导通延迟时间以及19.3ns反向恢复时间。30V DMT3006LFDF-7 N通道增强模式MOSFET采用的各项设计使得该器件非常适合用于高效电源管理应用。

栅极驱动器

Diodes Incorporated栅极驱动器适用于电力系统和电机驱动领域的诸多应用。这些栅极驱动器可作为微控制器和IGBT或MOSFET电源开关之间的接口。这些栅极驱动器具有出色的驱动特性，并可控制击穿电压。

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