NVD5C功率MOSFET

安森美半导体NVD5C功率MOSFET符合AEC−Q101标准，可为汽车应用提供强大的解决方案。NVD5C功率MOSFET具有低RDS(on)，可最大限度地降低导通损耗，另外还具有低QG和电容，可将驱动器损耗降到最低。这些单N通道MOSFET采用紧凑型表面贴装DPAK封装，无铅、无卤/无BFR，符合RoHS指令。
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结果: 7
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数量 RoHS ECAD模型 技术
安装风格
封装 / 箱体
晶体管极性
通道数量
Vds-漏源极击穿电压
Id-连续漏极电流
Rds On-漏源导通电阻
Vgs - 栅极-源极电压
Vgs th-栅源极阈值电压
Qg-栅极电荷
最小工作温度
最大工作温度
Pd-功率耗散
通道模式
资格
封装
onsemi MOSFET T6 40V SL IN DPAK
数据表
2,269库存量
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最低： 1
倍数： 1
卷轴: 2,500

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 40 V 163 A 1.7 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 80.6 nC - 55 C + 175 C 117 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
onsemi MOSFET T6 40V DPAK EXP
数据表
2,126库存量
MouseReel 提供服务支持
最低： 1
倍数： 1
卷轴: 2,500

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 40 V 83 A 4.2 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 32 nC - 55 C + 175 C 56 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
onsemi MOSFET T6 40V SL DPAK
数据表
3,446库存量
MouseReel 提供服务支持
最低： 1
倍数： 1
卷轴: 2,500
Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 40 V 101 A 2.9 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 34.3 nC - 55 C + 175 C 101 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
onsemi MOSFET T6 40V DPAK EXP
数据表
1,954库存量
MouseReel 提供服务支持
最低： 1
倍数： 1
卷轴: 2,500

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 40 V 45 A 7.7 mOhms - 20 V, 20 V 1.2 V 20 nC - 55 C + 175 C 30 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
onsemi MOSFET T6 60V LL DPAK
数据表
4,946库存量
MouseReel 提供服务支持
最低： 1
倍数： 1
卷轴: 2,500

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 60 V 38 A 13.7 mOhms - 20 V, 20 V 1.2 V 9.6 nC - 55 C + 175 C 27 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
onsemi MOSFET T6 60V LL DPAK
数据表
3,133库存量
MouseReel 提供服务支持
最低： 1
倍数： 1
卷轴: 2,500
Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 60 V 17 A 22.8 mOhms - 16 V, 16 V 1.2 V 7 nC - 55 C + 175 C 18 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
onsemi MOSFET T6 60V LL DPAK
数据表
104库存量
2,500预期 2026/8/28
MouseReel 提供服务支持
最低： 1
倍数： 1
卷轴: 2,500
Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 60 V 49 A 7.4 mOhms - 20 V, 20 V 1.2 V 18.7 nC - 55 C + 175 C 44 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel