热插拔和软起动专用CCPAK ASFET

Nexperia热插拔和软起动专用CCPAK ASFET具有可靠线性模式、增强SOA和低RDS(on)。该CCPAK ASFET旨在严格控制浪涌电流,保护插入到带电系统的替换电路板上的元件。该器件确保这些始终在线的系统不会出现任何电力中断。该Nexperia CCPAK ASFET经优化在单个器件上获得了强SOA和低RDS(on)

结果: 6
选择 图像 零件编号 制造商 描述 数据表 供货情况 单价(含13%增值税) 根据您的数量,按照单价筛选表格中的结果。 数量 RoHS ECAD模型 技术 安装风格 封装 / 箱体 晶体管极性 通道数量 Vds-漏源极击穿电压 Id-连续漏极电流 Rds On-漏源导通电阻 Vgs - 栅极-源极电压 Vgs th-栅源极阈值电压 Qg-栅极电荷 最小工作温度 最大工作温度 Pd-功率耗散 通道模式 封装
Nexperia MOSFET SOT8000 100V 430A 25库存量
最低: 1
倍数: 1
: 1,000

Si SMD/SMT SOT8005A-12 N-Channel 1 Channel 100 V 430 A 1.09 mOhms - 20 V, 20 V 3.6 V 339 nC - 55 C + 175 C 1.55 kW Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia MOSFET PSMN1R2-80ASE/SOT800 0A/CCPAK12 200库存量
最低: 1
倍数: 1
: 1,000

Si SMD/SMT CCPAK1212 N-Channel 1 Channel 80 V 375 A 1.18 mOhms - 20 V, 20 V 3.6 V 233 nC - 55 C + 175 C 935 W Enhancement Reel, Cut Tape
Nexperia MOSFET PSMN1R2-80CSE/SOT800 5A/CCPAK12 147库存量
最低: 1
倍数: 1
: 1,000

Si SMD/SMT CCPAK1212 N-Channel 1 Channel 80 V 375 A 1.18 mOhms - 20 V, 20 V 3.6 V 233 nC - 55 C + 175 C 935 W Enhancement Reel, Cut Tape
Nexperia MOSFET PSMN1R4-100ASE/SOT80 00A/CCPAK1 50库存量
最低: 1
倍数: 1
: 1,000

Si SMD/SMT CCPAK1212 N-Channel 1 Channel 100 V 340 A 1.36 mOhms - 20 V, 20 V 3.6 V 244 nC - 55 C + 175 C 935 W Enhancement Reel, Cut Tape
Nexperia MOSFET PSMN1R4-100CSE/SOT80 05A/CCPAK1 245库存量
最低: 1
倍数: 1
: 1,000

Si SMD/SMT CCPAK1212 N-Channel 1 Channel 100 V 340 A 1.42 mOhms - 20 V, 20 V 3.6 V 244 nC - 55 C + 175 C 935 W Enhancement Reel, Cut Tape
Nexperia MOSFET SOT8000 N-CH 80V 495A
2,955预期 2027/6/11
最低: 1
倍数: 1
: 1,000

Si SMD/SMT SOT8000A-12 N-Channel 1 Channel 80 V 495 A 900 uOhms - 20 V, 20 V 3.6 V 336 nC - 55 C + 175 C 1.55 kW Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel