CSD22206W P通道NexFET功率MOSFET

Texas Instruments CSD22206W P通道NexFET™功率MOSFET是一款–8V、4.7mΩ、1.5mm×1.5mm器件，设计用于在超小外形尺寸封装内提供最低的导通电阻和栅极电荷。该器件的外形尺寸极小，具有出色的散热特性。由于该器件具有低导通电阻、小型封装尺寸以及薄型设计，因此非常适合用于由电池供电的空间受限应用。
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数量 RoHS ECAD模型 技术
安装风格
封装 / 箱体
晶体管极性
通道数量
Vds-漏源极击穿电压
Id-连续漏极电流
Rds On-漏源导通电阻
Vgs - 栅极-源极电压
Vgs th-栅源极阈值电压
Qg-栅极电荷
最小工作温度
最大工作温度
Pd-功率耗散
通道模式
商标名
封装
Texas Instruments MOSFET -8V P channel NexFE T power MOSFET sin A A 595-CSD22206WT
数据表
1,140库存量
3,000预期 2026/2/19
MouseReel 提供服务支持
最低： 1
倍数： 1
卷轴: 3,000

Si SMD/SMT DSBGA-9 P-Channel 1 Channel 8 V 5 A 9.1 mOhms - 6 V, 6 V 1.05 V 14.6 nC - 55 C + 150 C 1.7 W Enhancement NexFET Reel, Cut Tape, MouseReel
Texas Instruments MOSFET -8V P channel NexFE T power MOSFET sin A A 595-CSD22206W
数据表
123库存量
MouseReel 提供服务支持
最低： 1
倍数： 1
卷轴: 250

Si SMD/SMT DSBGA-9 P-Channel 1 Channel 8 V 2 A 9.1 mOhms - 6 V, 6 V 700 mV 14.6 nC - 55 C + 150 C 1.7 W Enhancement NexFET Reel, Cut Tape, MouseReel