STP80N600K6

STMicroelectronics
511-STP80N600K6
STP80N600K6

制造商：

说明：
MOSFET N-channel 800 V, 515 mOhm typ., 7 A MDmesh K6 Power MOSFET
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¥-.--
总价:
¥-.--
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定价 (含13% 增值税)

数量 单价
总价
¥26.1369 ¥26.14
¥13.2323 ¥132.32
¥12.2379 ¥1,223.79
¥10.2604 ¥5,130.20
¥8.2716 ¥8,271.60
¥8.2264 ¥41,132.00

产品属性 属性值 选择属性
STMicroelectronics
产品种类: MOSFET
RoHS:  
Si
Through Hole
TO-220-3
N-Channel
1 Channel
800 V
7 A
600 mOhms
- 30 V, 30 V
4 V
10.7 nC
- 55 C
+ 150 C
86 W
Enhancement
Tube
商标: STMicroelectronics
下降时间: 12.6 ns
产品类型: MOSFETs
上升时间: 4.1 ns
工厂包装数量: 50
子类别: Transistors
晶体管类型: 1 N-Channel
典型关闭延迟时间: 28.2 ns
典型接通延迟时间: 9 ns
单位重量: 2 g
找到的产品:
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已选择的属性: 0

此功能要求启用JavaScript。

CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
854129000
TARIC:
8541290000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99

STP80N600K6 MDmesh K6功率MOSFET

STMicroelectronics STP80N600K6 MDmesh K6功率MOSFET提供一种极高电压的N通道电源解决方案，采用终极MDmesh K6技术。这项K6技术基于STMicroelectronics在超级结领域20年的经验。因为这项技术使得STMicro STP80N600K6具有同类最佳的单位面积导通电阻和栅极电荷，适合需要优异功率密度和高效率的应用。

N沟道MDmesh K6功率MOSFET

STMicroelectronics N沟道MDmesh K6功率MOSFET具有齐纳保护和100%雪崩测试。这些功率MOSFET的汲极/源极击穿电压最小为800V，±30V栅极/源极电压，工作结温范围为-55°C至150°C。MDmesh K6功率MOSFET还具有5V/ns峰值二极管恢复电压斜坡、100A/µs峰值二极管恢复电流斜坡以及120V/ns MOSFET dv/dt的坚固性。典型应用包括笔记本电脑和一体机、反激式转换器、平板电脑适配器和LED灯。

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