FS4 IGBT

onsemi FS4 IGBT是一套强大、高效的解决方案，适用于各种工业和汽车应用。  onsemi FS4的最高结温为175 °C。 这些IGBT可以耐受最恶劣的工作条件。

结果: 22
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数量 RoHS ECAD模型 技术
封装 / 箱体
安装风格
配置
集电极—发射极最大电压 VCEO
集电极—射极饱和电压
栅极/发射极最大电压
在25 C的连续集电极电流
Pd-功率耗散
最小工作温度
最大工作温度
系列
资格
封装

onsemi 绝缘栅双极晶体管(IGBT) 650V/30A FS4 IGBT TO263 AUTOMOTIVE
数据表
1,569库存量
MouseReel 提供服务支持
最低： 1
倍数： 1
: 800

Si SC-70-3 SMD/SMT Single 650 V 1.6 V - 20 V, 20 V 60 A 220 W - 55 C + 175 C AFGB30T65SQDN AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel

onsemi 绝缘栅双极晶体管(IGBT) FS4 LOW VCESAT IGBT 650V 75A TO247-4L WITH FULL RATED CURRENT DIODE
数据表
330库存量
最低： 1
倍数： 1

Si TO-247-4 Through Hole Single 650 V 1.15 V 20 V 80 A 469 W - 55 C + 175 C FGHL75T65LQDTL4 Tube

onsemi 绝缘栅双极晶体管(IGBT) FS4 MID SPEED IGBT 650V 75A TO247-4L WITH FULL RATED CURRENT DIODE
数据表
432库存量
最低： 1
倍数： 1

Si TO-247-4 Through Hole Single 650 V 1.45 V - 20 V, 20 V 80 A 375 W - 55 C + 175 C FGHL75T65MQDTL4 Tube

onsemi 绝缘栅双极晶体管(IGBT) FS4 MID SPEED IGBT 650V 50A TO247-3L WITH FULL RATED CURRENT DIODE
数据表
1,573库存量
最低： 1
倍数： 1

Si TO-247-3 Through Hole Single 650 V 1.45 V - 20 V, 20 V 80 A 268 W - 55 C + 175 C FGHL50T65MQDT Tube
onsemi 绝缘栅双极晶体管(IGBT) 650V/40A FS4 IGBT
数据表
908库存量
MouseReel 提供服务支持
最低： 1
倍数： 1
: 800

Si D2PAK-3 SMD/SMT Single 650 V 1.6 V - 20 V, 20 V 80 A 238 W - 55 C + 175 C AFGB40T65SQDN AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel

onsemi 绝缘栅双极晶体管(IGBT) 650V 75A FS4 IGBT TO-247LL
数据表
334库存量
最低： 1
倍数： 1

Si TO-247-3 Through Hole Single 650 V 1.6 V - 20 V, 20 V 80 A 375 W - 55 C + 175 C AFGH75T65SQ Tube

onsemi 绝缘栅双极晶体管(IGBT) FS4 MID SPEED IGBT 650V 50A TO247-4L WITH FULL RATED CURRENT DIODE
数据表
321库存量
最低： 1
倍数： 1

Si TO-247-4 Through Hole Single 650 V 1.45 V - 20 V, 20 V 80 A 268 W - 55 C + 175 C FGHL50T65MQDTL4 Tube

onsemi 绝缘栅双极晶体管(IGBT) 650V/30A FS4 SCR IGBT T0247-3L AUTOMOTIVE
数据表
373库存量
最低： 1
倍数： 1

Si TO-247-3 Through Hole Single 650 V 1.57 V - 20 V, 20 V 42 A 230.8 W - 55 C + 175 C AFGHL30T65RQDN Tube

onsemi 绝缘栅双极晶体管(IGBT) 650V/40A FS4 SCR IGBT D2PAK AUTOMOTIVE
数据表
1,759库存量
最低： 1
倍数： 1
: 800

D2PAK - 3 AFGB40T65RQDN Reel, Cut Tape

onsemi 绝缘栅双极晶体管(IGBT) 650V/50A FS4 SCR IGBT T0247-3L AUTOMOTIVE
数据表
354库存量
最低： 1
倍数： 1

Si TO-247-3 Through Hole Single 650 V 1.6 V 20 V 78 A 346 W - 55 C + 175 C AFGHL50T65RQDN Tube

onsemi 绝缘栅双极晶体管(IGBT) FS4 LOW VCESAT IGBT 650V 40A TO247-3L WITH FULL RATED CURRENT DIODE
数据表
392库存量
最低： 1
倍数： 1

Si TO-247-3 Through Hole Single 650 V 1.15 V 20 V 60 A 273 W - 55 C + 175 C FGHL40T65LQDT Tube

onsemi 绝缘栅双极晶体管(IGBT) FS4 T TO247 50A 650V 4L
数据表
890库存量
最低： 1
倍数： 1
Si TO-247-4 Through Hole Single 650 V 1.6 V - 20 V, 20 V 80 A 268 W - 55 C + 175 C FGH4L50T65SQD Tube

onsemi 绝缘栅双极晶体管(IGBT) FS4 LOW VCESAT IGBT 650V 75A TO247-3L WITH FULL RATED CURRENT DIODE
数据表
400库存量
最低： 1
倍数： 1

Si TO-247-3 Through Hole Single 650 V 1.15 V 20 V 80 A 469 W - 55 C + 175 C FGHL75T65LQDT Tube

onsemi 绝缘栅双极晶体管(IGBT) FS4 MID SPEED IGBT 650V 40A TO247-3L WITH FULL RATED CURRENT DIODE
数据表
354库存量
最低： 1
倍数： 1

Si TO-247-3 Through Hole Single 650 V 1.45 V - 20 V, 20 V 60 A 238 W - 55 C + 175 C FGHL40T65MQDT Tube

onsemi 绝缘栅双极晶体管(IGBT) 650V/40A FS4 SCR IGBT T0247-3L AUTOMOTIVE
数据表
450库存量
最低： 1
倍数： 1
TO-247-3 - 20 V, 20 V AFGHL40T65RQDN Tube

onsemi 绝缘栅双极晶体管(IGBT) 650 V 40 A FS4
数据表
218库存量
最低： 1
倍数： 1

Si TO-247-3 Through Hole Single 650 V 1.45 V - 20 V, 20 V 80 A 238 W - 55 C + 175 C FGHL40T65MQD Tube

onsemi 绝缘栅双极晶体管(IGBT) 650 V 50 A FS4
数据表
404库存量
最低： 1
倍数： 1
TO-247-3 FGHL50T65MQD Tube

onsemi 绝缘栅双极晶体管(IGBT) FS4TIGBT 50A 650V
数据表
1库存量
最低： 1
倍数： 1

Si TO-247-3 Through Hole Single 650 V 1.6 V - 20 V, 20 V 100 A 268 W - 55 C + 175 C FGHL50T65SQ Tube

onsemi 绝缘栅双极晶体管(IGBT) 650 V 75 A FS4
数据表
381库存量
最低： 1
倍数： 1
TO-247-3 - 20 V, 20 V FGHL75T65MQD Tube

onsemi 绝缘栅双极晶体管(IGBT) FS4 MID SPEED IGBT 650V 75A TO247-3L WITH FULL RATED CURRENT DIODE
数据表
22库存量
最低： 1
倍数： 1

Si TO-247-3 Through Hole Single 650 V 1.45 V - 20 V, 20 V 80 A 375 W - 55 C + 175 C FGHL75T65MQDT Tube

onsemi 绝缘栅双极晶体管(IGBT) FS4 LOW VCESAT IGBT 650V
数据表
450库存量
最低： 1
倍数： 1

Si TO-247-4 Through Hole Single 650 V 1.15 V 20 V 80 A 341 W - 55 C + 175 C FGHL50T65LQDTL4 Tube

onsemi 绝缘栅双极晶体管(IGBT) FS4 LOW VCESAT IGBT 650V
数据表
450预期 2026/6/2
最低： 1
倍数： 1

Si TO-247-3 Through Hole Single 650 V 1.15 V 20 V 80 A 341 W - 55 C + 175 C FGHL50T65LQDT Tube