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AFGHL50T65RQDN 650V 50A IGBT - onsemi
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安森美半导体AFGHL50T65RQDN 650V 50A IGBT是采用创新技术的第四代场终止型IGBT。 安森美半导体AFGHL50T65RQDN可为太阳能逆变器、UPS、焊机、电信、ESS和PFC应用提供最佳性能。 该器件可确保最大限度地降低导通和开关损耗。
特性
最高结温:T
J
= 175°C
具有正温度系数,便于并联操作
大电流的能力
低饱和电压:V
CE(Sat)
= 1.6V (典型值),在I
C
= 50A时
零件100%经过ILM测试
高输入阻抗
快速开关
参数分布紧密
该器件无铅,符合RoHS指令
应用
太阳能逆变器
UPS
焊接设备
电信
ESS
PFC
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发布日期: 2023-12-12 | 更新日期: 2024-03-01