RF6L025BGTCR

ROHM Semiconductor
755-RF6L025BGTCR
RF6L025BGTCR

制造商：

说明：
MOSFET SOT363 N-CH 60V 2.5A

数据表:
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库存量: 2,956

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最少： 1   倍数： 1
单价:
¥-.--
总价:
¥-.--
预估关税:

定价 (含13% 增值税)

数量 单价
总价
¥5.6274 ¥5.63
¥3.4691 ¥34.69
¥2.2261 ¥222.61
¥1.6837 ¥841.85
¥1.5142 ¥1,514.20
整卷卷轴（请按3000的倍数订购）
¥1.2543 ¥3,762.90
¥1.1526 ¥6,915.60
¥1.02604 ¥9,234.36
¥0.98423 ¥23,621.52

产品属性 属性值 选择属性
ROHM Semiconductor
产品种类: MOSFET
RoHS:  
Si
SMD/SMT
SOT-363T-6
N-Channel
1 Channel
60 V
2.5 A
91 mOhms
- 20 V, 20 V
2.5 V
3.1 nC
- 55 C
+ 150 C
1 W
Enhancement
Reel
Cut Tape
商标: ROHM Semiconductor
配置: Single
下降时间: 3.1 ns
正向跨导 - 最小值: 1.3 S
产品类型: MOSFETs
上升时间: 4.8 ns
工厂包装数量: 3000
子类别: Transistors
晶体管类型: 1 N-Channel
典型关闭延迟时间: 13 ns
典型接通延迟时间: 5.3 ns
找到的产品:
要显示类似产品，至少选中一个复选框
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已选择的属性: 0

数据表

Specification Sheets

此功能要求启用JavaScript。

CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
854129000
TARIC:
8541290000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99

RF6L025BG功率MOSFET

ROHM Semiconductor RF6L025BG功率MOSFET具有60V漏极-源极电压（VDSS）和±2.5A连续漏极电流（ID）。该N沟道MOSFET具有91mΩ低导通电阻（RDS(on)）和1W功耗（PD）。RF6L025BG MOSFET的工作结温和储存温度范围为-55°C至+150°C，采用无卤素小型表面贴装封装(TAMT6或SOT-363T)。这款符合RoHS指令的器件采用无铅电镀。RF6L025BG功率MOSFET适合用于开关、电机驱动器和直流/直流转换器应用。

电动汽车 (EV) 解决方案

ROHM Semiconductor电动汽车 (EV) 解决方案旨在提高先进电动汽车的效率和性能。ROHM提供针对各种解决方案的优化产品，重点是EV专用单元，如主逆变器、DC-DC转换器、车载充电器和电动压缩机。

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