RF6L025BGTCR

ROHM Semiconductor
755-RF6L025BGTCR
RF6L025BGTCR

制造商：

说明：
MOSFET SOT363 N-CH 60V 2.5A

数据表:
ECAD模型:
下载免费库加载程序，将此文件转换，以供您的ECAD工具使用。了解详情。
更多信息
了解ROHM Semiconductor RF6L025BGTCR详情

库存量: 1,788

库存：
1,788 可立即发货
生产周期：
16 周 大于所示数量的预计工厂生产时间。
最少： 1   倍数： 1
单价:
¥-.--
总价:
¥-.--
预估关税:

定价 (含13% 增值税)

数量 单价
总价
¥5.9551 ¥5.96
¥3.7064 ¥37.06
¥2.3843 ¥238.43
¥1.808 ¥904.00
¥1.6159 ¥1,615.90
整卷卷轴（请按3000的倍数订购）
¥1.3786 ¥4,135.80
¥1.2656 ¥7,593.60
¥1.10853 ¥9,976.77

产品属性 属性值 选择属性
ROHM Semiconductor
产品种类: MOSFET
RoHS:  
Si
SMD/SMT
SOT-363T-6
N-Channel
1 Channel
60 V
2.5 A
91 mOhms
- 20 V, 20 V
2.5 V
3.1 nC
- 55 C
+ 150 C
1 W
Enhancement
Reel
Cut Tape
商标: ROHM Semiconductor
配置: Single
下降时间: 3.1 ns
正向跨导 - 最小值: 1.3 S
产品类型: MOSFETs
上升时间: 4.8 ns
工厂包装数量: 3000
子类别: Transistors
晶体管类型: 1 N-Channel
典型关闭延迟时间: 13 ns
典型接通延迟时间: 5.3 ns
找到的产品:
要显示类似产品，至少选中一个复选框
要显示该类别下的类似产品，请至少选中上方的一个复选框。
已选择的属性: 0

数据表

Specification Sheets

此功能要求启用JavaScript。

合规代码
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
854129000
TARIC:
8541290000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99
原产地分类
原产国:
日本
组装原产国/地区:
不可用
扩散国家:
不可用
发货时，国家/地区可能会发生变化。

RF6L025BG功率MOSFET

ROHM Semiconductor RF6L025BG功率MOSFET具有60V漏极-源极电压（VDSS）和±2.5A连续漏极电流（ID）。该N沟道MOSFET具有91mΩ低导通电阻（RDS(on)）和1W功耗（PD）。RF6L025BG MOSFET的工作结温和储存温度范围为-55°C至+150°C，采用无卤素小型表面贴装封装(TAMT6或SOT-363T)。这款符合RoHS指令的器件采用无铅电镀。RF6L025BG功率MOSFET适合用于开关、电机驱动器和直流/直流转换器应用。

电动汽车 (EV) 解决方案

ROHM Semiconductor电动汽车 (EV) 解决方案旨在提高先进电动汽车的效率和性能。ROHM提供针对各种解决方案的优化产品，重点是EV专用单元，如主逆变器、DC-DC转换器、车载充电器和电动压缩机。

出现意外错误。


有问题吗？ 请访问帮助中心。
有关特定订单的问题，请登录您的账户。

如果您遇到其他问题，请致电800-346-6873联系我们，或发送电子邮件至 help@mouser.com 。