SQ汽车级功率MOSFET

Vishay/Siliconix SQ汽车级功率MOSFET符合AEC-Q101标准,采用经过优化的适用于汽车业的特殊工艺设计生产。这些SQ MOSFET采用低导通电阻N沟道和P沟道TrenchFET®技术,具有低热阻。SQ MOSFET有多种封装可供选择,可实现设计灵活性。封装包括TO-252、TO-262、TO-263、PowerPAK® SO-8、PowerPAK 8x8L、PowerPAK SO-8L、D2PAK (TO-263)、DPAK和PowerPAK 1212-8W,以及几种节省空间的小型封装。Vishay/Siliconix SQ汽车级功率MOSFET提供各种极性选项,包括N沟道和P沟道一体封装。

结果: 131
选择 图像 零件编号 制造商 描述 数据表 供货情况 单价(含13%增值税) 根据您的数量,按照单价筛选表格中的结果。 数量 RoHS ECAD模型 技术 安装风格 封装 / 箱体 晶体管极性 通道数量 Vds-漏源极击穿电压 Id-连续漏极电流 Rds On-漏源导通电阻 Vgs - 栅极-源极电压 Vgs th-栅源极阈值电压 Qg-栅极电荷 最小工作温度 最大工作温度 Pd-功率耗散 通道模式 资格 商标名 封装
Vishay Semiconductors MOSFET N Ch 20Vds 12Vgs AEC-Q101 Qualified
7,060预期 2026/7/2
最低: 1
倍数: 1
: 3,000

Si SMD/SMT TSOP-6 N-Channel, P-Channel 2 Channel 20 V 2.5 A, 3.57 A 49 mOhms, 140 mOhms - 12 V, 12 V 600 mV, 1.5 V 2.5 nC, 3.5 nC - 55 C + 175 C 1.67 W Enhancement AEC-Q101 TrenchFET Reel, Cut Tape, MouseReel

Vishay / Siliconix MOSFET 30V 8A 3W AEC-Q101 Qualified
47,620在途量
最低: 1
倍数: 1
: 3,000

Si SMD/SMT SOT-23-3 N-Channel 1 Channel 30 V 8 A 24 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 7.95 nC - 55 C + 175 C 3 W Enhancement AEC-Q101 TrenchFET Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay MOSFET N-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET 无库存
最低: 1
倍数: 1
: 3,000

Si Reel, Cut Tape
Vishay MOSFET N-CHANNEL 30-V (D-S) 175C MOSFET

Si Reel, Cut Tape
Vishay MOSFET N-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET
Si SMD/SMT TSOP-6 N-Channel 1 Channel 60 V 7 A 42 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 12 nC - 55 C + 175 C 5 W Enhancement Reel, Cut Tape
Vishay MOSFET N-CHANNEL 30-V (D-S) 175C MOSFET
Si SMD/SMT TSOP-6 N-Channel 1 Channel 30 V 7.8 A 35 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 10 nC - 55 C + 175 C 4 W Enhancement Reel, Cut Tape