3.3V Single Data Rate (SDR) Synchronous DRAM

ISSI 3.3V Single Data Rate (SDR) Synchronous DRAM provides a wide selection of SDR SDRAM with densities from 16Mbit to 512Mbit in 1Mx16, 4Mx16, and 8Mx16 organizations. Each device features a single supply voltage (3.3V +/-0.3V), standard SDRAM clock timing, LVTTL compatible inputs, programmable burst length of 1, 2, 4, 8, or full page, auto-refresh and self-refresh modes. ISSI 3.3V SDR Synchronous DRAM has a programmable CAS latency of 2 or 3. Typical applications for these devices include wireless access points, base stations, routers, network storage, energy management, industrial controls, car infotainment, and automotive telematics.

结果: 86
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描述 数据表 供货情况 单价（含13%增值税） 根据您的数量，按照单价筛选表格中的结果。
数量 RoHS ECAD模型 类型
存储容量
数据总线宽度
最大时钟频率
封装 / 箱体
组织
访问时间
电源电压-最小
电源电压-最大
最小工作温度
最大工作温度
系列
封装
ISSI 动态随机存取存储器 256M, 3.3V, S动态随机存取存储器, 8Mx32, 133Mhz @ CL2, 86 pin TSOP II RoHS
数据表
无库存交货期 16 周
最低： 1
倍数： 1
SDRAM 256 Mbit 32 bit 133 MHz TSOP-II-86 8 M x 32 6 ns 3 V 3.6 V 0 C + 70 C IS42S32800J
ISSI 动态随机存取存储器 256M, 3.3V, S动态随机存取存储器, 8Mx32, 133Mhz @ CL2, 86 pin TSOP II RoHS, IT
数据表
无库存交货期 16 周
最低： 1
倍数： 1

SDRAM 256 Mbit 32 bit 133 MHz TSOP-II-86 8 M x 32 6 ns 3 V 3.6 V - 40 C + 85 C IS42S32800J
ISSI 动态随机存取存储器 512M, 3.3V, S动态随机存取存储器, 64Mx8, 166Mhz, 54 pin TSOP II RoHS, IT, T&R
数据表
无库存交货期 16 周
最低： 1,500
倍数： 1,500
: 1,500

SDRAM 512 Mbit 8 bit 167 MHz TSOP-II-54 64 M x 8 6 ns 3 V 3.6 V - 40 C + 85 C IS42S86400F Reel
ISSI 动态随机存取存储器 512M, 3.3V, S动态随机存取存储器, 64Mx8, 143Mhz, 54 pin TSOP II RoHS, IT, T&R
数据表
无库存交货期 16 周
最低： 1,500
倍数： 1,500
: 1,500

SDRAM 512 Mbit 8 bit 143 MHz TSOP-II-54 64 M x 8 5.4 ns 3 V 3.6 V - 40 C + 85 C IS42S86400F Reel
ISSI 动态随机存取存储器 512M, 3.3V, S动态随机存取存储器, 64Mx8, 143Mhz, 54 pin TSOP II RoHS, T&R
数据表
无库存交货期 16 周
最低： 1,500
倍数： 1,500
: 1,500

SDRAM 512 Mbit 8 bit 143 MHz TSOP-II-54 64 M x 8 5.4 ns 3 V 3.6 V 0 C + 70 C IS42S86400F Reel
ISSI 动态随机存取存储器 64M, 3.3V, S动态随机存取存储器, 2Mx32, 143Mhz, 90 ball BGA (8mmx13mm) RoHS, IT
数据表
无库存交货期 16 周
最低： 1
倍数： 1

SDRAM 64 Mbit 32 bit 143 MHz BGA-90 2 M x 32 5.4 ns 3 V 3.6 V - 40 C + 85 C
ISSI 动态随机存取存储器 256M 8Mx32 143Mhz SDR S动态随机存取存储器, 3.3V
数据表
无库存
最低： 240
倍数： 240

SDRAM 256 Mbit 32 bit 143 MHz BGA-90 8 M x 32 5.5 ns 3 V 3.6 V 0 C + 70 C IS42S32800G Tray
ISSI 动态随机存取存储器 256M, 3.3V, S动态随机存取存储器, 32Mx8, 166MHz, 54 pin TSOP II (400 mil) RoHS
数据表
无库存
最低： 1
倍数： 1

SDRAM 256 Mbit 8 bit 166 MHz TSOP-II-54 32 M x 8 5.4 ns 3 V 3.6 V 0 C + 70 C IS42S83200G Tray
ISSI 动态随机存取存储器 256M, 3.3V, S动态随机存取存储器, 32Mx8, 166MHz, 54 pin TSOP II (400 mil) RoHS, IT
数据表
无库存
最低： 1
倍数： 1

SDRAM 256 Mbit 8 bit 166 MHz TSOP-II-54 32 M x 8 5.4 ns 3 V 3.6 V - 40 C + 85 C IS42S83200G Tray
ISSI 动态随机存取存储器 256M 32Mx8 143MHz SDR S动态随机存取存储器, 3.3V
数据表
无库存
最低： 108
倍数： 108

SDRAM 256 Mbit 8 bit 143 MHz TSOP-II-54 32 M x 8 5.4 ns 3 V 3.6 V 0 C + 70 C IS42S83200G Tray
ISSI 动态随机存取存储器 64M, 3.3V, S动态随机存取存储器, 2Mx32, 166Mhz, 90 ball BGA (8mmx13mm) RoHS
数据表

SDRAM 64 Mbit 32 bit 166 MHz BGA-90 2 M x 32 5.4 ns 3 V 3.6 V 0 C + 70 C