NXH450B100H4Q2 Si/SiC混合模块

安森美 (onsemi)  NXH450B100H4Q2 Si/SiC混合模块包含两个1000V、150A IGBT、两个1200V、30A SiC二极管和两个1600V 30A旁路二极管以及一个NTC热敏电阻。这些硅/碳化硅混合模块具有低开关损耗、降低系统功耗、低电感布局、压配和焊接引脚选项。NXH450B100H4Q2混合模块的储存温度范围为-40°C至125°C,在开关条件下工作温度范围为-40°C至125°C。这些硅/碳化硅混合模块非常适合用于太阳能逆变器和不间断电源。

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选择 图像 零件编号 制造商 描述 数据表 供货情况 单价(含13%增值税) 根据您的数量,按照单价筛选表格中的结果。 数量 RoHS ECAD模型 产品 配置 集电极—发射极最大电压 VCEO 集电极—射极饱和电压 在25 C的连续集电极电流 栅极—射极漏泄电流 Pd-功率耗散 最小工作温度 最大工作温度 封装
onsemi NXH450B100H4Q2F2PG
onsemi IGBT 模块 1000V75A FSIII IGBT MID SPEED WITH RUGGED ANTI-PARALLEL DIODES IN PRESS FIT PINS 36库存量
最低: 1
倍数: 1

SiC IGBT Modules Dual 1 kV 1.7 V 101 A 800 nA 234 W - 40 C + 150 C Tray
onsemi NXH450B100H4Q2F2SG
onsemi IGBT 模块 1000V75A FSIII IGBT MID SPEED WITH SOLDER PINS 36库存量
最低: 1
倍数: 1
SiC IGBT Modules Dual 1 kV 1.7 V 101 A 800 nA 234 W - 40 C + 150 C Tray