NVMFS4C306NT1G

onsemi
698-NVMFS4C306NT1G
NVMFS4C306NT1G

制造商：

说明：
MOSFET TRENCH 30V NCH

寿命周期:
NRND:
不建议用于新设计。
数据表:
ECAD模型:
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库存量: 1,425

库存：
1,425 可立即发货
生产周期：
19 周 大于所示数量的预计工厂生产时间。
最少： 1   倍数： 1
单价:
¥-.--
总价:
¥-.--
预估关税:

定价 (含13% 增值税)

数量 单价
总价
¥21.0971 ¥21.10
¥13.56 ¥135.60
¥9.266 ¥926.60
¥7.4128 ¥3,706.40
¥6.3732 ¥6,373.20
整卷卷轴（请按1500的倍数订购）
¥6.3732 ¥9,559.80

产品属性 属性值 选择属性
onsemi
产品种类: MOSFET
RoHS:  
REACH - SVHC:
Si
SMD/SMT
SO-8FL-4
N-Channel
1 Channel
30 V
20.6 A
4.8 mOhms
- 20 V, 20 V
2.1 V
11.6 nC
- 55 C
+ 175 C
3 W
Enhancement
Reel
Cut Tape
商标: onsemi
配置: Single
下降时间: 3 ns
正向跨导 - 最小值: 58 S
产品类型: MOSFETs
上升时间: 28 ns
系列: NVMFS4C306N
工厂包装数量: 1500
子类别: Transistors
晶体管类型: 1 N-Channel
典型关闭延迟时间: 24 ns
典型接通延迟时间: 8 ns
找到的产品:
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要显示该类别下的类似产品，请至少选中上方的一个复选框。
已选择的属性: 0

数据表

PCN

合规代码
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
854129000
TARIC:
8541290000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99
原产地分类
原产国:
马来西亚
组装原产国/地区:
马来西亚
扩散国家:
日本
发货时，国家/地区可能会发生变化。

NVMFS4C306N功率MOSFET

安森美 (onsemi) NVMFS4C306N功率MOSFET具有30V漏极-源极电压、3.4mΩ RDS(ON) 和71A连续漏极电流。该汽车用功率MOSFET采用5mm x 6mm扁平引线SO8-FL封装，开发用于紧凑高效的设计。

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