IXFP34N65X2W

IXYS
747-IXFP34N65X2W
IXFP34N65X2W

制造商：

说明：
MOSFET 650V 100mohm 34A X2-Class HiPerFET in TO-220

寿命周期:
新产品:
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库存量: 300

库存：
300
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在途量:
300
预期 2026/2/23
生产周期：
29
周 大于所示数量的预计工厂生产时间。
最少： 1   倍数： 1
单价:
¥-.--
总价:
¥-.--
预估关税:

定价 (含13% 增值税)

数量 单价
总价
¥61.5398 ¥61.54
¥43.4259 ¥434.26
¥36.1487 ¥3,614.87
¥29.2783 ¥14,639.15

产品属性 属性值 选择属性
IXYS
产品种类: MOSFET
RoHS:  
Si
Through Hole
TO-220-3
N-Channel
1 Channel
650 V
34 A
100 mOhms
30 V
5 V
64 nC
- 55 C
+ 150 C
540 W
Enhancement
HiPerFET
Tube
商标: IXYS
配置: Single
下降时间: 31 ns
正向跨导 - 最小值: 18 S
产品类型: MOSFETs
上升时间: 52 ns
工厂包装数量: 50
子类别: Transistors
晶体管类型: 1 N-Channel
典型关闭延迟时间: 66 ns
典型接通延迟时间: 38 ns
找到的产品:
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已选择的属性: 0

数据表

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CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
854129000
TARIC:
8541290000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99

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IXYS IXFP34N65X2W功率MOSFET是 650V、100mΩ、X2级HiPerFET™ 功率MOSFET，采用电荷补偿原理和专有工艺技术进行开发。该N沟道功率MOSFET具有低导通电阻和低栅极电荷以及出色的dv/dt性能。IXFP34N65X2W MOSFET具有高功率密度，雪崩功能增强了器件的耐用性。除了快速软恢复本体二极管外，超结MOSFET还有助于降低开关损耗和电磁干扰（EMI）。IXFP34N65X2W MOSFET用于开关模式和谐振模式电源、直流-直流转换器、PFC电路、交流和直流电机驱动器、机器人和伺服控制应用。

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