碳化硅CoolSiC™ MOSFET和二极管

英飞凌碳化硅CoolSiC™ MOSFET和二极管提供的产品组合可满足对更智能、更高效能量生成、传输和消耗的需求。CoolSiC产品组合可满足客户在中高功率系统中减小系统尺寸和降低成本的需求,同时满足最高质量标准,延长系统使用寿命并确保可靠性。凭借CoolSiC,客户将实现最严格的效率目标,同时降低操作系统成本。该产品组合包括CoolSiC肖特基二极管、CoolSiC混合模块、CoolSiC MOSFET模块和分立式器件,以及用于驱动碳化硅器件的EiceDRIVER™ 栅极驱动器IC。

分离式半导体类型

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结果: 68
选择 图像 零件编号 制造商 描述 数据表 供货情况 单价(含13%增值税) 根据您的数量,按照单价筛选表格中的结果。 数量 RoHS 产品类型 技术 安装风格 封装 / 箱体
Infineon Technologies 碳化硅肖特基二极管 SIC DISCRETE 24库存量
1,680在途量
最低: 1
倍数: 1

SiC Schottky Diodes Through Hole TO-247-2
Infineon Technologies 肖特基二极管与整流器 CoolSiC Schottky diode 2000 V, 10 A G5 in a TO-247PLUS-4 HCC package 8库存量
最低: 1
倍数: 1

Schottky Diodes & Rectifiers Si
Infineon Technologies 碳化硅肖特基二极管 SIC DIODES 240库存量
500在途量
最低: 1
倍数: 1

SiC Schottky Diodes Through Hole TO-220-2
Infineon Technologies 碳化硅MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET 342库存量
最低: 1
倍数: 1

SiC MOSFETS SiC Through Hole TO-247-3
Infineon Technologies 碳化硅MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET 18库存量
1,200在途量
最低: 1
倍数: 1

SiC MOSFETS SiC Through Hole TO-247-4
Infineon Technologies 碳化硅MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET 15库存量
240预期 2026/12/31
最低: 1
倍数: 1

SiC MOSFETS SiC Through Hole TO-247-4
Infineon Technologies 碳化硅肖特基二极管 SIC DISCRETE 1库存量
最低: 1
倍数: 1
: 1,000

SiC Schottky Diodes SMD/SMT
Infineon Technologies 碳化硅肖特基二极管 SIC DISCRETE
2,000在途量
最低: 1
倍数: 1
: 1,000

SiC Schottky Diodes SMD/SMT
Infineon Technologies 碳化硅肖特基二极管 SIC CHIP/DISCRETE
12,480在途量
最低: 1
倍数: 1
: 2,500

SiC Schottky Diodes SMD/SMT DPAK-2 (TO-252-2)

Infineon Technologies 碳化硅肖特基二极管 SIC DIODES
720在途量
最低: 1
倍数: 1

SiC Schottky Diodes Through Hole TO-247-3
Infineon Technologies 碳化硅肖特基二极管 SIC CHIP/DISCRETE
720预期 2026/6/24
最低: 1
倍数: 1

SiC Schottky Diodes Through Hole TO-247-3
Infineon Technologies 碳化硅肖特基二极管 SIC CHIP/DISCRETE
480预期 2026/7/16
最低: 1
倍数: 1
最大: 60

SiC Schottky Diodes Through Hole TO-247-3

Infineon Technologies 碳化硅肖特基二极管 SIC DIODES
720预期 2026/8/20
最低: 1
倍数: 1

SiC Schottky Diodes Through Hole TO-247-3
Infineon Technologies 碳化硅肖特基二极管 SIC CHIP/DISCRETE
885在途量
最低: 1
倍数: 1

SiC Schottky Diodes Through Hole TO-220-2
Infineon Technologies 碳化硅肖特基二极管 SIC DISCRETE
1,000预期 2027/1/28
最低: 1
倍数: 1

SiC Schottky Diodes Through Hole TO-220-2
Infineon Technologies 碳化硅肖特基二极管 SIC CHIP/DISCRETE
980在途量
最低: 1
倍数: 1

SiC Schottky Diodes Through Hole TO-220-2
Infineon Technologies 碳化硅肖特基二极管 SIC DISCRETE 交货期 40 周
最低: 1
倍数: 1
: 1,000

SiC Schottky Diodes SMD/SMT
Infineon Technologies 碳化硅MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET 无库存交货期 52 周
最低: 1
倍数: 1

SiC MOSFETS SiC Through Hole TO-247-4