SIR680ADP-T1-RE3

Vishay Semiconductors
78-SIR680ADP-T1-RE3
SIR680ADP-T1-RE3

制造商：

说明：
MOSFET N-CHANNEL 80V PowerPAK SO-8

数据表:
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封装:
整卷卷轴（请按3000的倍数订购）

定价 (含13% 增值税)

数量 单价
总价
剪切带/MouseReel™ †
¥25.8883 ¥25.89
¥16.7918 ¥167.92
¥11.6616 ¥1,166.16
¥9.7632 ¥4,881.60
整卷卷轴（请按3000的倍数订购）
¥8.2716 ¥24,814.80
¥7.797 ¥70,173.00
† ¥15.00 MouseReel™费将被加上并在购物车计算。所有MouseReel™订单均不可撤消和退回。 ↩

产品属性 属性值 选择属性
Vishay
产品种类: MOSFET
RoHS:  
REACH - SVHC:
Si
SMD/SMT
PowerPAK-SO-8
N-Channel
1 Channel
80 V
125 A
2.88 mOhms
- 20 V, 20 V
3.5 V
43 nC, 55 nC
- 55 C
+ 150 C
104 W
Enhancement
TrenchFET
Reel
Cut Tape
MouseReel
商标: Vishay Semiconductors
配置: Single
下降时间: 9 ns, 12 ns
正向跨导 - 最小值: 68 S
产品类型: MOSFETs
上升时间: 8 ns, 15 ns
工厂包装数量: 3000
子类别: Transistors
晶体管类型: N - Channel
典型关闭延迟时间: 30 ns, 30 ns
典型接通延迟时间: 17 ns, 19 ns
单位重量: 506.600 mg
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已选择的属性: 0

CNHTS:
8541290000
TARIC:
8541290000
USHTS:
8541290065
ECCN:
EAR99

SiR680ADP N沟道 (D-S) MOSFET

Vishay SiR680ADP N沟道 (D-S) MOSFET是TrenchFET® 第四代功率MOSFET，具有低RDS至Qg 品质因数 (FOM)。该MOSFET经过调谐，可实现最低RDS至Qoss FOM，100%通过Rg和UIS测试。SiR680ADP MOSFET的工作温度范围为-55°C至150°C。该MOSFET的漏级-源级电压为80V，栅极-源极电压为±20V，脉冲漏电流为125A。SiR680ADP MOSFET采用PowerPAK SO-8封装。该MOSFET非常适合用于同步整流一次侧开关、直流/直流转换器、OR-ing、电源和电机驱动控制。

TrenchFET第四代MOSFET

Vishay / Siliconix TrenchFET®第四代MOSFET是新一代TrenchFET®系列功率MOSFET，采用PowerPAK® SO-8和1212-8S封装，并具有业内超低的导通电阻和低栅极总电荷。TrenchFET第四代MOSFET具有超低RDS(on)特性，因此进一步降低了导通损耗以及功耗。TrenchFET MOSFET还采用了节省空间的PowerPAK® 1212-8 封装，能以三分之一的尺寸实现相近的效率。典型应用包括大功率DC/DC转换器、同步整流器、太阳能微型逆变器以及电机驱动开关。

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