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IXFN110N85X

Name: IXYS IXFN110N85X
Brand: IXYS
SKU: 747-IXFN110N85X
Price: 532.02 RMB
Availability: InStock

图像仅供参考
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Mouser编号：

747-IXFN110N85X

制造商编号：

IXFN110N85X

制造商：

IXYS

说明：

MOSFET模块 850V X-Class HiPerFE Power MOSFET

数据表:

IXFN110N85X 数据表

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产品属性	属性值	选择属性
制造商:	IXYS
产品种类:	MOSFET模块
RoHS:
技术:	Si
安装风格:	Screw Mount
封装 / 箱体:	SOT-227-4
晶体管极性:	N-Channel
通道数量:	1 Channel
Vds-漏源极击穿电压:	850 V
Id-连续漏极电流:	110 A
Rds On-漏源导通电阻:	33 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压:	- 30 V, + 30 V
Vgs th-栅源极阈值电压:	3.5 V
最小工作温度:	- 55 C
最大工作温度:	+ 150 C
Pd-功率耗散:	1.17 kW
系列:	HiPerFET
封装:	Tube
商标:	IXYS
配置:	Single
下降时间:	11 ns
产品类型:	MOSFET Modules
上升时间:	25 ns
工厂包装数量:	10
子类别:	Discrete and Power Modules
商标名:	HiPerFET
类型:	HiperFET
典型关闭延迟时间:	144 ns
典型接通延迟时间:	50 ns
单位重量:	30 g

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数据表

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CNHTS:: 8541290000
TARIC:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 8541290100
KRHTS:: 8541299000
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ECCN:: EAR99

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