NVMFDx 100V双N沟道功率MOSFET

安森美NVMFDx 100V双N沟道功率MOSFET是高效紧凑型解决方案,专为要求苛刻的电源开关应用而设计。这款MOSFET的RDS(on) 值低、开关速度快,非常适合用于直流-直流转换器、电机驱动器以及电池管理系统。此系列MOSFET采用节省空间的DFN-8封装,支持大电流处理能力和热性能,这对汽车、工业和消费类电子产品至关重要。每种型号均具有不同的电流和电阻曲线,可满足特定的设计需求,同时保持稳健的雪崩能量额定值和低栅极电荷,从而提升高性能电源系统的效率与可靠性。

结果: 6
选择 图像 零件编号 制造商 描述 数据表 供货情况 单价(含13%增值税) 根据您的数量,按照单价筛选表格中的结果。 数量 RoHS ECAD模型 技术 安装风格 封装 / 箱体 晶体管极性 通道数量 Vds-漏源极击穿电压 Id-连续漏极电流 Rds On-漏源导通电阻 Vgs - 栅极-源极电压 Vgs th-栅源极阈值电压 Qg-栅极电荷 最小工作温度 最大工作温度 Pd-功率耗散 通道模式 封装
onsemi MOSFET PTNG 100V LL SO8FL DUAL 1,350库存量
最低: 1
倍数: 1
卷轴: 1,500

Si SMD/SMT DFN-8 N-Channel 2 Channel 100 V 61 A 10.4 mOhms 20 V 3 V 26 nC - 55 C + 175 C 84 W Enhancement Reel, Cut Tape
onsemi MOSFET PTNG 100V LL SO8FL DUAL 1,260库存量
最低: 1
倍数: 1
卷轴: 1,500

Si SMD/SMT DFN-8 N-Channel 2 Channel 100 V 35 A 20 mOhms 20 V 3 V 15 nC - 55 C + 175 C 55 W Enhancement Reel, Cut Tape
onsemi MOSFET PTNG 100V LL SO8FL DUAL 1,350库存量
最低: 1
倍数: 1
卷轴: 1,500

Si SMD/SMT DFN-8 N-Channel 2 Channel 100 V 21 A 39 mOhms 20 V 3 V 4 nC - 55 C + 175 C 36 W Enhancement Reel, Cut Tape
onsemi MOSFET PTNG 100V LL SO8FL DUAL 670库存量
1,500预期 2026/3/27
最低: 1
倍数: 1
卷轴: 1,500

Si SMD/SMT DFN-8 N-Channel 2 Channel 100 V 61 A 10.4 mOhms 20 V 3 V 26 nC - 55 C + 175 C 84 W Enhancement Reel, Cut Tape
onsemi MOSFET PTNG 100V LL SO8FL DUAL 1,346库存量
最低: 1
倍数: 1
卷轴: 1,500

Si SMD/SMT DFN-8 N-Channel 2 Channel 100 V 35 A 20 mOhms 20 V 3 V 15 nC - 55 C + 175 C 55 W Enhancement Reel, Cut Tape
onsemi MOSFET PTNG 100V LL SO8FL DUAL 1,350库存量
最低: 1
倍数: 1
卷轴: 1,500

Si SMD/SMT DFN-8 N-Channel 2 Channel 100 V 21 A 39 mOhms 20 V 3 V 8.4 nC - 55 C + 175 C 36 W Enhancement Reel, Cut Tape