LM66100 ±6V低IQ理想二极管
Texas Instruments LM66100 ±6V低IQ理想二极管提供集成的单输入、单输出 (SISO),适合用于各种应用。LM66100包括一个P沟道MOSFET,可在1.5V至5.5V输入电压范围内工作,并支持最高达1.5A的持续电流。
Texas Instruments LM66100 ±6V低IQ理想二极管提供集成的单输入、单输出 (SISO),适合用于各种应用。LM66100包括一个P沟道MOSFET,可在1.5V至5.5V输入电压范围内工作,并支持最高达1.5A的持续电流。