STF10LN80K5

STMicroelectronics
511-STF10LN80K5
STF10LN80K5

制造商：

说明：
MOSFET N-channel 800 V, 0.55 Ohm typ., 8 A MDmesh K5 Power MOSFET in a TO-220FP package
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¥-.--
总价:
¥-.--
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定价 (含13% 增值税)

数量 单价
总价
¥29.8659 ¥29.87
¥15.6279 ¥156.28
¥14.1476 ¥1,414.76
¥12.2379 ¥6,118.95
¥10.3395 ¥10,339.50
¥9.8423 ¥19,684.60

产品属性 属性值 选择属性
STMicroelectronics
产品种类: MOSFET
RoHS:  
REACH - SVHC:
Si
Through Hole
TO-220-3
N-Channel
1 Channel
800 V
8 A
630 mOhms
- 30 V, 30 V
3 V
15 nC
- 55 C
+ 150 C
25 W
Enhancement
MDmesh
商标: STMicroelectronics
配置: Single
下降时间: 13 ns
产品类型: MOSFETs
上升时间: 10 ns
系列: STF10LN80K5
工厂包装数量: 1000
子类别: Transistors
晶体管类型: 1 N-Channel
典型关闭延迟时间: 28 ns
典型接通延迟时间: 11.8 ns
单位重量: 2 g
找到的产品:
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已选择的属性: 0

数据表

PCN

CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
8541290100
KRHTS:
8541299000
TARIC:
8541290000
MXHTS:
85412999
ECCN:
EAR99

STF10LN80K5 MDmesh™功率MOSFET

STMicroelectronics STF10LN80K5 MDmesh™功率MOSFET设计采用MDmesh™ K5技术。该技术基于创新的专有垂直结构，可为各种应用降低导通电阻并实现超低栅极电荷。STF10LN80K5功率MOSFET具有业界最佳的品质因数 (FoM) 和最低的RDS(on) x面积。STF10LN80K5功率MOSFET内置齐纳二极管，增强了该器件的静电放电 (ESD) 防护性能。该器件的齐纳电压无需额外的外部元件，有助于实现经济高效的器件完整性保护。STF10LN80K5功率MOSFET非常适合用于开关应用。

SuperMESH™ 高压 MOSFET

意法半导体 齐纳保护 SuperMESH™ 功率 MOSFETs 是对标准带式 PowerMESH™ 布线的终极优化。 意法半导体 SuperMESH MOSFET 大幅压低了导通电阻，同时为要求最高的应用确保了非常好的 dv/dt 性能。SuperMESH 器件有最低限度的栅极电荷，并100% 通过雪崩测试，同时还改进了 ESD 功能，并具有新的高压基准。这些意法半导体 MOSFET 可用于开关应用。
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