DMTH6005 N沟道增强模式MOSFET

Diodes Inc. DMTH6005 N沟道增强模式MOSFET可最大限度地降低导通电阻 (RDS(ON))，并保持卓越的的开关性能。DMTH6005 MOSFET在VGS = 10V时的最大导通电阻(RDS(ON))为5.5mΩ，漏源击穿电压为60V，并设有100%无钳位电感开关。这些MOSFET的额定温度为+175ºC，非常适合用于高环境温度的环境。DMTH6005LPSQ符合汽车级AEC-Q101标准并支持PPAP。DMTH6005 MOSFET的相关应用包括高频开关、同步整流和直流-直流转换器。

结果: 5
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数量 RoHS ECAD模型 技术
安装风格
封装 / 箱体
晶体管极性
通道数量
Vds-漏源极击穿电压
Id-连续漏极电流
Rds On-漏源导通电阻
Vgs - 栅极-源极电压
Vgs th-栅源极阈值电压
Qg-栅极电荷
最小工作温度
最大工作温度
Pd-功率耗散
通道模式
资格
封装
Diodes Incorporated MOSFET MOSFET BVDSS:
数据表
5,046库存量
MouseReel 提供服务支持
最低： 1
倍数： 1
: 2,500

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 60 V 90 A 5.6 mOhms - 20 V, 20 V 1 V 47.1 nC - 55 C + 175 C 100 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Diodes Incorporated MOSFET 60V 175c N-Ch FET 5.5mOhm 10Vgs 100A
数据表
2,428库存量
MouseReel 提供服务支持
最低： 1
倍数： 1
: 2,500

Si SMD/SMT PowerDI5060-8 N-Channel 1 Channel 60 V 100 A 10 mOhms - 20 V, 20 V 1 V 47.1 nC - 55 C + 175 C 150 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
Diodes Incorporated MOSFET MOSFET BVDSS: 41V-60V
数据表
1,803库存量
2,500预期 2027/7/30
MouseReel 提供服务支持
最低： 1
倍数： 1
最大： 380
: 2,500

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 60 V 90 A 5.6 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 47.1 nC - 55 C + 175 C 100 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
Diodes Incorporated MOSFET MOSFET BVDSS: 41V-60V
数据表
23库存量
最低： 1
倍数： 1
Si Through Hole TO-220-3 Tube
Diodes Incorporated MOSFET 60V 175c N-Ch FET 5.5mOhm 10Vgs 100A
数据表
1,864库存量
MouseReel 提供服务支持
最低： 1
倍数： 1
: 2,500

Si SMD/SMT PowerDI5060-8 N-Channel 1 Channel 60 V 20.6 A 5.5 mOhms - 20 V, 20 V 1 V 47.1 nC - 55 C + 175 C 150 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel