结果: 9
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数量 RoHS ECAD模型 技术
安装风格
封装 / 箱体
晶体管极性
通道数量
Vds-漏源极击穿电压
Id-连续漏极电流
Rds On-漏源导通电阻
Vgs - 栅极-源极电压
Vgs th-栅源极阈值电压
最小工作温度
最大工作温度
Pd-功率耗散
系列
封装
SemiQ MOSFET模块 SiC 1200V 40mohm MOSFET Full-Bridge Module
数据表
31库存量
最低： 1
倍数： 1
: 40

SiC Press Fit N-Channel 1.2 kV 53 A 38 mOhms - 5 V, + 20 V 1.8 V - 40 C + 175 C 208 W GCMX Reel, Cut Tape
SemiQ MOSFET模块 SiC 1200V 80mohm MOSFET Full-Bridge Module
数据表
35库存量
最低： 1
倍数： 1
: 40

SiC Press Fit N-Channel 1.2 kV 27 A 77 mOhms - 5 V, + 20 V 1.8 V - 40 C + 175 C 119 W GCMX Reel, Cut Tape
SemiQ MOSFET模块 1200V, 10mohm SiC MOSFET Full Bridge Module
数据表

SiC Press Fit B3 N-Channel 4 Channel 1.2 kV 201 A 8.9 mOhms - 5 V, + 20 V 4 V - 40 C + 150 C 600 W GCMX Bulk
SemiQ MOSFET模块 SiC 1200V 20mohm MOSFET Full-Bridge Module
数据表

SiC Screw Mount N-Channel 1.2 kV 102 A 18 mOhms - 5 V, + 20 V 1.8 V - 40 C + 175 C 333 W GCMX Reel, Cut Tape
SemiQ MOSFET模块 1200V, 20mohm SiC MOSFET Full Bridge Module
数据表

SiC Press Fit B2 N-Channel 4 Channel 1.2 kV 102 A 28 mOhms - 5 V, + 20 V 4 V - 40 C + 150 C 333 W GCMX Bulk
SemiQ MOSFET模块 SiC 1200V 20mohm MOSFET Full-Bridge Module
数据表

SiC Screw Mount N-Channel 1.2 kV 93 A 18.1 mOhms - 5 V, + 20 V 1.8 V - 40 C + 175 C 300 W GCMX Reel, Cut Tape
SemiQ MOSFET模块 SiC 1200V 40mohm MOSFET Full-Bridge Module
数据表

SiC Screw Mount N-Channel 1.2 kV 56 A 38 mOhms - 5 V, + 20 V 1.8 V - 40 C + 175 C 217 W GCMX Reel
SemiQ MOSFET模块 1200V, 40mohm SiC MOSFET Full Bridge Module
数据表

SiC Press Fit B2 N-Channel 4 Channel 1.2 kV 56 A 52 mOhms - 5 V, + 20 V 4 V - 40 C + 150 C 217 W GCMX Bulk
SemiQ MOSFET模块 1200V, 80mohm SiC MOSFET Full Bridge Module
数据表

SiC Press Fit B2 N-Channel 4 Channel 1.2 kV 27 A 100 mOhms - 5 V, + 20 V 4 V - 40 C + 150 C 119 W GCMX Bulk