QH8M双N沟道+P沟道小信号MOSFET

ROHM Semiconductor QH8M双N沟道+P沟道小信号MOSFET支持40V或60V耐压，在一个小型表面贴装TSMT8封装中集成了超低导通电阻N沟道+P沟道MOSFET。该系列设计用于24V输入设备，例如工厂自动化设备和安装在基站上的电机（冷却风扇）。这些器件有助于降低设备的功耗。QH8MB5具有44mΩ/41mΩDS(on)最大值和±4.5A/±5A漏极电流ID，QH8MC5具有90mΩ/91mΩDS(on)最大值和±3A/3.5A漏极电流ID。ROHM Semiconductor QH8M双N沟道+P沟道小信号MOSFET具有1.5W功耗，采用无铅电镀，符合RoHS指令。QH8M系列非常适合用于开关应用。

结果: 2
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数量 RoHS ECAD模型 技术
安装风格
封装 / 箱体
晶体管极性
通道数量
Vds-漏源极击穿电压
Id-连续漏极电流
Rds On-漏源导通电阻
Vgs - 栅极-源极电压
Vgs th-栅源极阈值电压
Qg-栅极电荷
最小工作温度
最大工作温度
Pd-功率耗散
通道模式
封装
ROHM Semiconductor MOSFET 60V 3.0A/3.5A, Dual Nch+Pch, TSMT8, Power MOSFET
数据表
26,879库存量
最低： 1
倍数： 1
卷轴: 3,000

Si SMD/SMT TSMT-8 N-Channel, P-Channel 2 Channel 60 V 3 A, 3.5 A 90 mOhms, 91 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 3.1 nC, 17.3 nC - 55 C + 150 C 1.5 W Enhancement Reel, Cut Tape
ROHM Semiconductor MOSFET TSMT8 NPCH 40V 4.5A
数据表
2,195库存量
最低： 1
倍数： 1
卷轴: 3,000

Si SMD/SMT TSMT-8 N-Channel, P-Channel 2 Channel 40 V 4.5 A, 5 A 44 mOhms, 41 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 3.5 nC, 17.2 nC - 55 C + 150 C 1.5 W Enhancement Reel, Cut Tape