F3L200R07W2S5FP EasyPACK™ IGBT模块

英飞凌F3L200R07W2S5FP EasyPACK™ IGBT模块具备高达650V的增强阻断电压能力,采用第五代CoolSiC™肖特基二极管。这些器件基于TRENCHSTOP™ IGBT5和PressFIT触点技术。F3L200R07W2S5FP IGBT模块大幅降低了开关损耗,采用低热阻Al2O3 基板。这些模块采用紧凑设计,由于集成安装夹和预涂热界面材料,因此安装坚固耐用。F3L200R07W2S5FP IGBT模块非常适合用于电机驱动器、太阳能应用、3电平应用和UPS系统。

结果: 3
选择 图像 零件编号 制造商 描述 数据表 供货情况 单价(含13%增值税) 根据您的数量,按照单价筛选表格中的结果。 数量 RoHS ECAD模型 产品 配置 集电极—发射极最大电压 VCEO 集电极—射极饱和电压 在25 C的连续集电极电流 栅极—射极漏泄电流 最小工作温度 最大工作温度 封装
Infineon Technologies IGBT 模块 650 V, 200 A 3-level IGBT module 交货期 10 周
最低: 1
倍数: 1

SiC IGBT Modules 3-Phase Inverter 650 V 1.17 V 200 A 100 nA - 40 C + 150 C Tray
Infineon Technologies IGBT 模块 650 V, 200 A 3-level IGBT module 无库存交货期 10 周
最低: 18
倍数: 18

Tray
Infineon Technologies F3L200R07W2S5FPB56BPSA1
Infineon Technologies IGBT 模块 650 V, 200 A 3-level IGBT module 无库存交货期 10 周
最低: 18
倍数: 18

Tray