XPN12006NC,L1XHQ

Toshiba
757-XPN12006NCL1XHQ
XPN12006NC,L1XHQ

制造商:

说明:
MOSFET TSON N-CH 60V 20A

ECAD模型:
下载免费库加载程序,将此文件转换,以供您的ECAD工具使用。了解详情。

库存量: 56,524

库存:
56,524 可立即发货
生产周期:
20 周 大于所示数量的预计工厂生产时间。
最少: 1   倍数: 1
单价:
¥-.--
总价:
¥-.--
预估关税:

定价 (含13% 增值税)

数量 单价
总价
¥14.6448 ¥14.64
¥8.7688 ¥87.69
¥5.9438 ¥594.38
¥4.859 ¥2,429.50
¥4.4974 ¥4,497.40
¥4.4296 ¥11,074.00
整卷卷轴(请按5000的倍数订购)
¥3.8646 ¥19,323.00

产品属性 属性值 选择属性
Toshiba
产品种类: MOSFET
RoHS:  
Si
SMD/SMT
TSON-8
N-Channel
1 Channel
40 V
20 A
23.7 mOhms
- 20 V, 20 V
2.5 V
23 nC
- 55 C
+ 175 C
65 W
Enhancement
Reel
Cut Tape
商标: Toshiba
配置: Single
下降时间: 8 ns
产品类型: MOSFETs
上升时间: 5 ns
工厂包装数量: 5000
子类别: Transistors
晶体管类型: 1 N-Channel
典型关闭延迟时间: 33 ns
典型接通延迟时间: 15 ns
单位重量: 20 mg
找到的产品:
要显示类似产品,至少选中一个复选框
要显示该类别下的类似产品,请至少选中上方的一个复选框。
已选择的属性: 0

此功能要求启用JavaScript。

CNHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
TARIC:
8541290000
ECCN:
EAR99

车规级U-MOSVII-H型功率MOSFET

Toshiba  车规级U-MOSVIII-H型功率MOSFET是 100V N沟道功率MOSFET,是汽车应用的理想选择。它们具有采用专有技术的低导通电阻,使用铜连接器。  它们具有2.5V至3.5V的窄栅极阈值电压范围,从而降低了开关时间容差。

XPN12006NC车用U-MOSVIII-H MOSFET

Toshiba XPN12006NC车用U-MOSVIII-H MOSFET符合AEC-Q101标准,采用紧凑的薄型TSON封装。XPN12006NC具有低漏极-源极导通电阻、低漏电流和增强模式。

汽车器件

Toshiba汽车器件提供阵容丰富的MOSFET、光隔离、晶体管和二极管产品系列,覆盖12V至48V电池系统的各种汽车应用。此外,Toshiba还提供汽车级的电机控制驱动器。Toshiba汽车器件通过了AEC-Q100和AEC-Q101认证。

汽车级符合AEC-Q101标准的功率MOSFET

Toshiba汽车级符合AEC-Q101标准的功率MOSFET是广泛系列的功率MOSFET,适用于12V至48V电池系统中的各种汽车应用。Toshiba自20世纪60年代以来一直专注于分立式汽车行业,起初专注于整流器,直至20世纪90年代开发出汽车级MOSFET。凭借性能和可靠性,所有Toshiba’汽车产品都超越了AEC-Q101标准。