SiCPAK™ F/G 1200V High-Power Modules

GeneSiC Semiconductor SiCPAK™ F/G 1200V High-Power Modules are designed for superior performance and robustness while meeting industry-standard footprints with pin-to-pin combability. These modules are robust, high-voltage, high-efficiency SiC MOSFETs, critical for reliable, harsh-environment, high-power applications. The SiCPAK™ F/G Modules enable expanded applications ranging from 10s kW to MW in rail, EV, fast charging, industry, solar, wind, and energy storage. Epoxy-resin potting technology provides high reliability and improved power/temperature cycling.

结果: 12
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数量 RoHS ECAD模型 技术
安装风格
封装 / 箱体
晶体管极性
Vds-漏源极击穿电压
Id-连续漏极电流
Rds On-漏源导通电阻
Vgs th-栅源极阈值电压
最小工作温度
最大工作温度
Pd-功率耗散
系列
封装
GeneSiC Semiconductor MOSFET模块 1200V 5mohm Half-Bridge SiCPAK G SiC Module
数据表
96库存量
最低： 1
倍数： 1

SiC Press Fit SiCPAK N-Channel 1.2 kV 216 A 4.6 mOhms 2.2 V - 40 C + 175 C 444 mW SiCPAK G Tray
GeneSiC Semiconductor MOSFET模块 1200V 9mohm Full-Bridge SiCPAK G SiC Module
数据表
96库存量
最低： 1
倍数： 1

SiC Press Fit SiCPAK N-Channel 1.2 kV 104 A 12.5 mOhms - 40 C + 175 C 216 W SiCPAK G Tray
GeneSiC Semiconductor MOSFET模块 1200V 9mohm Half-Bridge SiCPAK F SiC Module
数据表
71库存量
最低： 1
倍数： 1

SiC Press Fit SiCPAK N-Channel 1.2 kV 109 A 12.5 mOhms 2.7 V - 40 C + 175 C 238 W SiCPAK F Tray
GeneSiC Semiconductor MOSFET模块 1200V 17mohm Half-Bridge SiCPAK F SiC Module
数据表
96库存量
最低： 1
倍数： 1

SiC Press Fit SiCPAK N-Channel 1.2 kV 68 A 23 mOhms 2.2 V - 40 C + 175 C 170 W SiCPAK F Tray
GeneSiC Semiconductor MOSFET模块 1200V 18mohm Full-Bridge SiCPAK F SiC Module
数据表
96库存量
最低： 1
倍数： 1

SiC Press Fit SiCPAK N-Channel 1.2 kV 53 A 24 mOhms 2.2 V - 40 C + 175 C 106 W SiCPAK F Tray
GeneSiC Semiconductor MOSFET模块 1200V 9mohm 3L-T-NPC SiCPAK G SiC Module
数据表
96预期 2026/4/17
最低： 1
倍数： 1

SiC Press Fit SiCPAK G 1.2 kV 9.3 mOhms SiCPAK G Tray
GeneSiC Semiconductor MOSFET模块 1200V 5mohm Half-Bridge SiCPAK G SiC Module, TIM
数据表

SiC Press Fit SiCPAK N-Channel 1.2 kV 216 A 4.6 mOhms 2.2 V - 40 C + 175 C 444 mW SiCPAK F Tray
GeneSiC Semiconductor MOSFET模块 1200V 9mohm Full-Bridge SiCPAK G SiC Module, TIM
数据表

SiC Press Fit SiCPAK N-Channel 1.2 kV 104 A 12.5 mOhms - 40 C + 175 C 216 W SiCPAK F Tray
GeneSiC Semiconductor MOSFET模块 1200V 9mohm Half-Bridge SiCPAK F SiC Module, TIM
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SiC Press Fit SiCPAK N-Channel 1.2 kV 109 A 12.5 mOhms 2.7 V - 40 C + 175 C 238 W SiCPAK F Tray
GeneSiC Semiconductor MOSFET模块 1200V 17mohm Half-Bridge SiCPAK F SiC Module, TIM
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SiC Press Fit SiCPAK N-Channel 1.2 kV 68 A 23 mOhms 2.2 V - 40 C + 175 C 170 W SiCPAK F Tray
GeneSiC Semiconductor MOSFET模块 1200V 18mohm Full-Bridge SiCPAK F SiC Module. TIM
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SiC Press Fit SiCPAK N-Channel 1.2 kV 53 A 24 mOhms 2.2 V - 40 C + 175 C 106 W SiCPAK F Tray
GeneSiC Semiconductor MOSFET模块 1200V 9mohm 3L-T-NPC SiCPAK G SiC Module, TIM
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