NGD4300 4A双MOSFET栅极驱动器
Nexperia NGD4300 4A双MOSFET栅极驱动器开发用于驱动同步降压或半桥配置中的高和低侧N沟道MOSFET。浮动的高侧驱动器使用高达120V的轨电压,并采用集成二极管的自举电源。低侧和高侧输出驱动器具有独立的欠压闭锁(UVLO)电路,可在驱动器电源低于其阈值电平时禁用输出驱动器。
Nexperia NGD4300 4A双MOSFET栅极驱动器开发用于驱动同步降压或半桥配置中的高和低侧N沟道MOSFET。浮动的高侧驱动器使用高达120V的轨电压,并采用集成二极管的自举电源。低侧和高侧输出驱动器具有独立的欠压闭锁(UVLO)电路,可在驱动器电源低于其阈值电平时禁用输出驱动器。