车用U-MOSVI功率MOSFET

Toshiba 汽车用U-MOSVI功率MOSFET是适用于汽车 应用的-40V P沟道功率MOSFET。它们的栅极驱动电压为-4.5V，而采用DPAK+封装的 传统产品的栅极驱动电压则为-6V。因此即使在电池电压下降时系统也能使用。该MOSFET具有低导通电阻。

结果: 18
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数量 RoHS ECAD模型 技术
安装风格
封装 / 箱体
晶体管极性
通道数量
Vds-漏源极击穿电压
Id-连续漏极电流
Rds On-漏源导通电阻
Vgs - 栅极-源极电压
Vgs th-栅源极阈值电压
Qg-栅极电荷
最小工作温度
最大工作温度
Pd-功率耗散
通道模式
资格
封装
Toshiba MOSFET 375W 1MHz Automotive; AEC-Q101
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46,556库存量
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Si SMD/SMT TO-220SM-3 P-Channel 1 Channel 40 V 200 A 1.8 mOhms - 20 V, 10 V 3 V 460 nC + 175 C 375 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba MOSFET 27W 1MHz Automotive; AEC-Q101
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45,634库存量
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倍数： 1
卷轴: 2,000

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) P-Channel 1 Channel 60 V 8 A 104 mOhms - 20 V, 10 V 3 V 19 nC + 175 C 27 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba MOSFET 90W 1MHz Automotive; AEC-Q101
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2,614库存量
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倍数： 1
卷轴: 2,000

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) P-Channel 1 Channel 40 V 60 A 6.3 mOhms - 20 V, 10 V 3 V 125 nC + 175 C 90 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape
Toshiba MOSFET 27W 1MHz Automotive; AEC-Q101
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19,147库存量
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倍数： 1
卷轴: 2,000

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) P-Channel 1 Channel 40 V 10 A 44 mOhms - 20 V, 10 V 3 V 19 nC + 175 C 27 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape
Toshiba MOSFET 100W 1MHz Automotive; AEC-Q101
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4,116库存量
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卷轴: 2,000

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) P-Channel 1 Channel 40 V 80 A 5.2 mOhms - 20 V, 10 V 3 V 158 nC + 175 C 100 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape
Toshiba MOSFET 68W 1MHz Automotive; AEC-Q101
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46,547库存量
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Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) P-Channel 1 Channel 40 V 40 A 9.1 mOhms - 20 V, 10 V 3 V 83 nC + 175 C 68 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape
Toshiba MOSFET 41W 1MHz Automotive; AEC-Q101
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4,782库存量
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最低： 1
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Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) P-Channel 1 Channel 60 V 15 A 50 mOhms - 20 V, 10 V 3 V 36 nC + 175 C 41 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba MOSFET 68W 1MHz Automotive; AEC-Q101
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3,902库存量
最低： 1
倍数： 1
卷轴: 2,000

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) P-Channel 1 Channel 60 V 30 A 21.8 mOhms - 20 V, 10 V 3 V 80 nC + 175 C 68 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape
Toshiba MOSFET AUTO AEC-Q SS MOS P-ch Logic-Level Gate Drive VDSS:-40V IC:-7A PD:1.5W TSOP6F
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5,961库存量
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Si SMD/SMT TSOP6F P-Channel 1 Channel 40 V 7 A 48 mOhms - 20 V, 10 V 2 V 24.2 nC + 150 C 1.5 W AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba MOSFET 41W 1MHz Automotive; AEC-Q101
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8,705库存量
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卷轴: 2,000

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) P-Channel 1 Channel 40 V 20 A 22.2 mOhms - 20 V, 10 V 3 V 37 nC + 175 C 41 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape
Toshiba MOSFET 100W 1MHz Automotive; AEC-Q101
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8,031库存量
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最低： 1
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卷轴: 2,000

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) P-Channel 1 Channel 60 V 60 A 11.2 mOhms - 20 V, 10 V 3 V 156 nC + 175 C 100 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba MOSFET 180W 1MHz Automotive; AEC-Q101
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3,202库存量
最低： 1
倍数： 1
卷轴: 2,000

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) P-Channel 1 Channel 40 V 90 A 4.3 mOhms - 20 V, 10 V 2 V 172 nC + 175 C 180 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape
Toshiba MOSFET 170W 1MHz Automotive; AEC-Q101
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1,612库存量
5,000预期 2026/2/13
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最低： 1
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卷轴: 5,000

Si SMD/SMT SOP-Advance-8 P-Channel 1 Channel 40 V 100 A 3.1 mOhms - 20 V, 10 V 2.1 V 230 nC + 175 C 170 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba MOSFET AUTO AEC-Q SS MOS P-ch Low Voltage Gate Drive VDSS:-20V Ic:-0.8A SOT-723
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6,583库存量
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卷轴: 8,000

Si SMD/SMT VESM-3 P-Channel 1 Channel 20 V 800 mA 480 mOhms - 8 V, 6 V 1 V 1.6 nC + 150 C 500 mW Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba MOSFET 90W 1MHz Automotive; AEC-Q101
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833库存量
2,000预期 2026/6/15
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卷轴: 2,000

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) P-Channel 1 Channel 60 V 50 A 13.8 mOhms - 20 V, 10 V 3 V 124 nC + 175 C 90 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape
Toshiba MOSFET 100W 1MHz Automotive; AEC-Q101
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2,781库存量
5,000预期 2026/5/15
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卷轴: 5,000

Si SMD/SMT TSON-Advance-8 P-Channel 1 Channel 40 V 40 A 9.6 mOhms - 20 V, 10 V 2.1 V 64 nC - 55 C + 175 C 100 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba MOSFET 132W 1MHz Automotive; AEC-Q101
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14,688预期 2026/2/20
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最低： 1
倍数： 1
卷轴: 5,000

Si SMD/SMT SOP-Advance-8 P-Channel 1 Channel 40 V 60 A 4.7 mOhms - 20 V, 10 V 2.1 V 160 nC - 55 C + 175 C 132 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba MOSFET P-ch MOSFET, -30 V, -6.0 A, 0.042Ohma.10V, DFN2020B(WF)Automotive
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卷轴: 3,000

Si SMD/SMT DFN2020B-6 P-Channel 1 Channel 30 V 24 A 144 mOhms - 12 V, 6 V 1.2 V 8.2 nC + 150 C 3.3 W Enhancement Reel, Cut Tape