62mm C系列TRENCHSTOP IGBT7模块

英飞凌62mm C系列TRENCHSTOP™ IGBT7模块具有高功率密度与正温度系数。在TRENCHSTOP IGBT7技术与标准外壳的加持下,该模块非常适用于伺服驱动器、UPS系统及商用与农用车辆。英飞凌62mm C系列TRENCHSTOP IGBT7模块适用于工业应用。

结果: 7
选择 图像 零件编号 制造商 描述 数据表 供货情况 单价(含13%增值税) 根据您的数量,按照单价筛选表格中的结果。 数量 RoHS ECAD模型 产品 配置 集电极—发射极最大电压 VCEO 集电极—射极饱和电压 在25 C的连续集电极电流 栅极—射极漏泄电流 封装 / 箱体 最小工作温度 最大工作温度 封装
Infineon Technologies IGBT 模块 62 mm C-Series module with TRENCHSTOP IGBT7 and emitter controlled 7 diode 30库存量
最低: 1
倍数: 1

IGBT Module Half Bridge 1.2 kV 1.5 V 800 A 100 nA 106.4 mm x 61.4 mm - 40 C + 175 C Tray
Infineon Technologies IGBT 模块 1700 V, 600 A dual IGBT module 24库存量
8预期 2026/6/11
最低: 1
倍数: 1

IGBT Silicon Modules Dual 1.2 kV 1.75 V 600 A 100 nA 106.4 mm x 61.4 mm x 30.5 mm - 40 C + 175 C Tray
Infineon Technologies IGBT 模块 1200 V, 450 A common emitter IGBT module 29库存量
最低: 1
倍数: 1

IGBT Silicon Modules Dual 1.2 kV 1.75 V 450 A 100 nA 106.4 mm x 61.4 mm x 30.5 mm - 40 C + 175 C Tray
Infineon Technologies IGBT 模块 1200 V, 800 A dual IGBT module 30库存量
最低: 1
倍数: 1

IGBT Module Half Bridge 1.2 kV 1.5 V 800 A 100 nA 106.4 mm x 61.4 mm - 40 C + 175 C Tray
Infineon Technologies IGBT 模块 1200 V, 800 A dual IGBT module 28库存量
最低: 1
倍数: 1

IGBT Module Half Bridge 1.2 kV 1.5 V 800 A 100 nA 106.4 mm x 61.4 mm - 40 C + 175 C Tray
Infineon Technologies IGBT 模块 1200 V, 450 A dual IGBT module
32预期 2026/6/11
最低: 1
倍数: 1

IGBT Silicon Modules Dual 1.2 kV 1.75 V 450 A 100 nA 106.4 mm x 61.4 mm x 30.5 mm - 40 C + 175 C Tray
Infineon Technologies IGBT 模块 1200 V, 600 A dual IGBT module
32预期 2026/6/11
最低: 1
倍数: 1

IGBT Silicon Modules Dual 1.2 kV 1.75 V 600 A 100 nA 106.4 mm x 61.4 mm x 30.5 mm - 40 C + 175 C Tray