600V超接合点（SJ）MOSFET

ROHM Semiconductor 600V超接合点（SJ）MOSFET旨在满足广泛应用中对更小、更高效电源日益增长的需求。这些SJ MOSFET设计用于R60xxXNx系列和PrestoMOS™ R60xxWNx系列的新型600V SJ MOSFET。 600V SJ MOSFET具有紧凑、扁平封装选项，可提供出色的散热性能。这使得这些器件非常适合需要节省空间和更高功率密度的应用，包括AI服务器和工业设备的电源。

结果: 6
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数量 RoHS ECAD模型 技术
安装风格
封装 / 箱体
晶体管极性
通道数量
Vds-漏源极击穿电压
Id-连续漏极电流
Rds On-漏源导通电阻
Vgs - 栅极-源极电压
Vgs th-栅源极阈值电压
Qg-栅极电荷
最小工作温度
最大工作温度
Pd-功率耗散
通道模式
封装
ROHM Semiconductor MOSFET Nch 600V 154m, TOLL, Power MOSFET with low on-resistance and fast switching, suitable for the switching application.
数据表
Si SMD/SMT TOLL-8 N-Channel 1 Channel 600 V 20 A 185 mOhms 30 V 5 V 25 nC - 55 C + 150 C 182 W Enhancement Reel
ROHM Semiconductor MOSFET Nch 600V 127m, TOLL, Power MOSFET with low on-resistance and fast switching, suitable for the switching application.
数据表
Si SMD/SMT TOLL-8 N-Channel 1 Channel 600 V 24 A 153 mOhms 30 V 5 V 35 nC - 55 C + 150 C 245 W Enhancement Reel
ROHM Semiconductor MOSFET Nch 600V 95m, TOLL, Power MOSFET with low on-resistance and fast switching, suitable for the switching application.
数据表
Si SMD/SMT TOLL-8 N-Channel 1 Channel 600 V 35 A 114 mOhms 30 V 5 V 46 nC - 55 C + 150 C 347 W Enhancement Reel
ROHM Semiconductor MOSFET Nch 600V 80m, TOLL, Power MOSFET with low on-resistance and fast switching, suitable for the switching application.
数据表
Si SMD/SMT TOLL-8 N-Channel 1 Channel 600 V 38 A 96 mOhms 30 V 5 V 48 nC - 55 C + 150 C 348 W Enhancement Reel
ROHM Semiconductor MOSFET Nch 600V 68m, TOLL, Power MOSFET with low on-resistance and fast switching, suitable for the switching application.
数据表
Si SMD/SMT TOLL-8 N-Channel 1 Channel 600 V 49 A 82 mOhms 30 V 5 V 58 nC - 55 C + 150 C 448 W Enhancement Reel
ROHM Semiconductor MOSFET Nch 600V 57m, TOLL, Power MOSFET with low on-resistance and fast switching, suitable for the switching application.
数据表
Si SMD/SMT TOLL-8 N-Channel 1 Channel 600 V 55 A 69 mOhms 30 V 5 V 67 nC - 55 C + 150 C 521 W Enhancement Reel