高压MOSFET模块

Vishay高压MOSFET模块是采用SOT-227封装的功率模块，非常适合用于各类工商业应用。这些MOSFET模块包括采用ThunderFET®和TrenchFET®技术的单开关功率MOSFET，开关和导通损耗较低。这些高压MOSFET模块还包括采用全隔离式封装并具有低导通电阻、动态dV/dt额定值以及低漏极电容的功率MOSFET。这些功率MOSFET将快速开关性能、坚固耐用的器件设计、低导通电阻和高成本效益完美结合。

结果: 8
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数量 RoHS ECAD模型 技术
安装风格
封装 / 箱体
晶体管极性
通道数量
Vds-漏源极击穿电压
Id-连续漏极电流
Rds On-漏源导通电阻
Vgs - 栅极-源极电压
Vgs th-栅源极阈值电压
最小工作温度
最大工作温度
Pd-功率耗散
系列
封装
Vishay Semiconductors MOSFET模块 150V, 1.93mOhm, 400A SOT-227 Pwr Mod
数据表
369库存量
最低： 1
倍数： 1

Si Screw Mount SOT-227-4 N-Channel 150 V 400 A - 20 V, + 20 V 1.8 V - 40 C + 150 C 909 W Tube
Vishay Semiconductors MOSFET模块 500 Volt 40 Amp
数据表
137库存量
最低： 1
倍数： 1

Si Screw Mount SOT-227-4 N-Channel 1 Channel 500 V 40 A 130 mOhms - 20 V, + 20 V 2 V - 55 C + 150 C 543 W VS-FA Tube
Vishay Semiconductors MOSFET模块 200V, 3.3mOhm, 270A SOT-227 Pwr Mod
数据表
477库存量
最低： 1
倍数： 1

Si Screw Mount SOT-227-4 N-Channel 200 V 287 A 4.7 mOhms - 20 V, + 20 V 1.8 V - 40 C + 150 C 937 W Tube
Vishay Semiconductors MOSFET模块 100V 435A Module SOT-227
数据表
576库存量
最低： 1
倍数： 1

Si Screw Mount SOT-227-4 N-Channel 1 Channel 100 V 435 A 2.15 mOhms - 20 V, + 20 V 2.2 V - 55 C + 175 C 652 W Tube
Vishay Semiconductors MOSFET模块 Modules Mosfets - SOT-227 MOSFET
数据表
更多信息可用
Si Screw Mount SOT-227-4 N-Channel 1 Channel 650 V 113 A 27.3 mOhms 20 V 5.1 V - 55 C + 150 C 833 W VS-FC100SA65
Vishay Semiconductors MOSFET模块 Modules Mosfets - SOT-227 MOSFET
数据表
更多信息可用
Si Screw Mount SOT-227-4 N-Channel 1 Channel 650 V 163 A 18.3 mOhms 20 V 5.1 V - 55 C + 150 C 1.042 W VS-FC150SA65
Vishay Semiconductors MOSFET模块 Modules Mosfets - SOT-227 MOSFET
数据表
更多信息可用
SiC Screw Mount SOT-227-4 N-Channel 1 Channel 650 V 58 A 54 mOhms 20 V 5.1 V - 55 C + 150 C 431 W VS-FC50LA65
Vishay Semiconductors MOSFET模块 Modules Mosfets - SOT-227 MOSFET
数据表
更多信息可用
Si Screw Mount SOT-227-4 N-Channel 1 Channel 650 V 68 A 54 mOhms 20 V 5.1 V - 55 C + 150 C 625 W VS-FC50SA65