高压MOSFET模块

Vishay高压MOSFET模块是采用SOT-227封装的功率模块,非常适合用于各类工商业应用。这些MOSFET模块包括采用ThunderFET®和TrenchFET®技术的单开关功率MOSFET,开关和导通损耗较低。这些高压MOSFET模块还包括采用全隔离式封装并具有低导通电阻、动态dV/dt额定值以及低漏极电容的功率MOSFET。这些功率MOSFET将快速开关性能、坚固耐用的器件设计、低导通电阻和高成本效益完美结合。

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选择 图像 零件编号 制造商 描述 数据表 供货情况 单价(含13%增值税) 根据您的数量,按照单价筛选表格中的结果。 数量 RoHS ECAD模型 技术 安装风格 封装 / 箱体 晶体管极性 通道数量 Vds-漏源极击穿电压 Id-连续漏极电流 Rds On-漏源导通电阻 Vgs - 栅极-源极电压 Vgs th-栅源极阈值电压 最小工作温度 最大工作温度 Pd-功率耗散 系列 封装
Vishay Semiconductors MOSFET模块 150V, 1.93mOhm, 400A SOT-227 Pwr Mod 394库存量
最低: 1
倍数: 1

Si Screw Mount SOT-227-4 N-Channel 150 V 400 A - 20 V, + 20 V 1.8 V - 40 C + 150 C 909 W
Vishay Semiconductors MOSFET模块 500 Volt 40 Amp 137库存量
最低: 1
倍数: 1

Si Screw Mount SOT-227-4 N-Channel 1 Channel 500 V 40 A 130 mOhms - 20 V, + 20 V 2 V - 55 C + 150 C 543 W VS-FA Tube
Vishay Semiconductors MOSFET模块 100V 435A Module SOT-227 1,256库存量
最低: 1
倍数: 1

Si Screw Mount SOT-227-4 N-Channel 1 Channel 100 V 435 A 2.15 mOhms - 20 V, + 20 V 2.2 V - 55 C + 175 C 652 W Tube
Vishay Semiconductors MOSFET模块 200V, 3.3mOhm, 270A SOT-227 Pwr Mod 329库存量
160预期 2026/2/20
最低: 1
倍数: 1

Si Screw Mount SOT-227-4 N-Channel 200 V 287 A 4.7 mOhms - 20 V, + 20 V 1.8 V - 40 C + 150 C 937 W