OptiMOS™ 6功率MOSFET

Infineon Technologies OptiMOS™ 6功率MOSFET是先进的下一代创新性器件，性能极为出色。OptiMOS 6系列采用薄晶圆技术，显著提升了性能。与同类产品相比，OptiMOS 6功率MOSFET的RDS(ON)降低了30％，并针对同步整流进行了优化。

结果: 81
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数量 RoHS ECAD模型 技术
安装风格
封装 / 箱体
晶体管极性
通道数量
Vds-漏源极击穿电压
Id-连续漏极电流
Rds On-漏源导通电阻
Vgs - 栅极-源极电压
Vgs th-栅源极阈值电压
Qg-栅极电荷
最小工作温度
最大工作温度
Pd-功率耗散
通道模式
商标名
封装
Infineon Technologies MOSFET MOSFET_(20V 40V)
数据表
9,920在途量
MouseReel 提供服务支持
最低： 1
倍数： 1
卷轴: 5,000

Si SMD/SMT TDSON-8 N-Channel 1 Channel 40 V 120 A 600 uOhms - 20 V, 20 V 3 V 116 nC - 55 C + 175 C 187 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies MOSFET MOSFET_(20V 40V)
数据表
2,000在途量
最低： 1
倍数： 1
卷轴: 2,000

Si SMD/SMT PG-LHDSO-10-3 N-Channel 40 V 390 A 750 uOhms 20 V 3 V 100 nC - 55 C + 175 C 206 W Enhancement Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFET OptiMOS 6 n-channel power MOSFET 80 V in TO-220
数据表
500预期 2026/3/12
最低： 1
倍数： 1

Si OptiMOS Tube
Infineon Technologies MOSFET IFX FET >150 - 400V
数据表
2,000预期 2026/2/26
最低： 1
倍数： 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 200 V 136 A 6.9 mOhms - 20 V, 20 V 3.7 V 73 nC - 55 C + 175 C 300 W Enhancement Tube
Infineon Technologies MOSFET OptiMOS 6 power MOSFET 150 V normal level in TOLL package
数据表
1,916预期 2026/3/5
最低： 1
倍数： 1
卷轴: 2,000

Si SMD/SMT PG-HSOF-8 N-Channel 1 Channel 150 V 147 A 4.4 mOhms 20 V 4 V 51 nC - 55 C + 175 C 234 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFET IFX FET 40V
数据表
10,000预期 2027/2/5
MouseReel 提供服务支持
最低： 1
倍数： 1
卷轴: 5,000

Si SMD/SMT N-Channel 1 Channel 40 V 232 A 1.2 mOhms - 20 V, 20 V 2.8 V 51 nC - 55 C + 175 C 125 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel