STP80N450K6

STMicroelectronics
511-STP80N450K6
STP80N450K6

制造商：

说明：
MOSFET N-channel 800 V, 400 mOhm typ., 8 A MDmesh K6 Power MOSFET
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数量 单价
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¥36.5555 ¥36.56
¥19.6846 ¥196.85
¥17.7862 ¥1,778.62
¥14.6448 ¥7,322.40
¥13.4809 ¥13,480.90
¥13.1532 ¥32,883.00

产品属性 属性值 选择属性
STMicroelectronics
产品种类: MOSFET
RoHS:  
Si
Through Hole
TO-220-3
N-Channel
1 Channel
800 V
10 A
450 mOhms
Enhancement
Tube
商标: STMicroelectronics
产品类型: MOSFETs
工厂包装数量: 50
子类别: Transistors
单位重量: 2 g
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已选择的属性: 0

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CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
TARIC:
8541290000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99

STP80N450K6 800V N沟道功率MOSFET

STMicroelectronics STP80N450K6 800V N沟道功率MOSFET是一款采用终极MDmesh K6技术设计的极高压N沟道功率MOSFET。该技术基于STMicroelectronics在超级结技术领域的20年经验。因此，其具有同类最佳的单位面积导通电阻和栅极电荷，适合用于需要出色功率密度和高效率的应用。

N沟道MDmesh K6功率MOSFET

STMicroelectronics N沟道MDmesh K6功率MOSFET具有齐纳保护和100%雪崩测试。这些功率MOSFET的汲极/源极击穿电压最小为800V，±30V栅极/源极电压，工作结温范围为-55°C至150°C。MDmesh K6功率MOSFET还具有5V/ns峰值二极管恢复电压斜坡、100A/µs峰值二极管恢复电流斜坡以及120V/ns MOSFET dv/dt的坚固性。典型应用包括笔记本电脑和一体机、反激式转换器、平板电脑适配器和LED灯。

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