SICW20C120 Silicon Carbide Schottky Diodes

Diotec Semiconductor SICW20C120 Silicon Carbide Schottky Diodes feature low capacitive charge, high-speed switching, and a high reverse voltage. The SICW20C120 diodes offer a <1.8V forward voltage and a 1200V repetitive peak reverse voltage. The device is ideally suited for high voltage/high-frequency switching used in charging systems for electric vehicles (EV), solar inverters, or telecom power supplies.

结果: 2
选择 图像 零件编号 制造商 描述 数据表 供货情况 单价(含13%增值税) 根据您的数量,按照单价筛选表格中的结果。 数量 RoHS ECAD模型 安装风格 封装 / 箱体 配置 If - 正向电流 Vrrm - 重复反向电压 Vf - 正向电压 Ifsm - 正向浪涌电流 最小工作温度 最大工作温度 系列 封装
Diotec Semiconductor 碳化硅肖特基二极管 SiC Schottky Diode, TO-247-3L, 1200V, 40A 450库存量
最低: 1
倍数: 1

SICW Tube
Diotec Semiconductor 碳化硅肖特基二极管 SiC Schottky Diode, TO-247-3L, 1200V, 20A 437库存量
最低: 1
倍数: 1

Through Hole TO-247-3 Dual Anode Common Cathode 10 A 1.2 kV 1.8 V 80 A - 50 C + 175 C SICW Tube