低损耗Duopack IGBT

英飞凌科技低损耗Duopack IGBT采用Trenchstop™和Fieldstop™技术，实现可靠的湿度设计。该低损耗Duopack IGBT具有非常软的快速恢复反向并联二极管、短拖尾电流和极低VCEsat。

结果: 5
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数量 RoHS ECAD模型 技术
封装 / 箱体
安装风格
配置
集电极—发射极最大电压 VCEO
集电极—射极饱和电压
栅极/发射极最大电压
在25 C的连续集电极电流
Pd-功率耗散
最小工作温度
最大工作温度
系列
封装
Infineon Technologies 绝缘栅双极晶体管(IGBT) 650 V, 20 A IGBT with anti-parallel diode in TO-247 package
数据表
3,166库存量
最低： 1
倍数： 1

Si TO-247-3 Through Hole Single 650 V 1.35 V - 20 V, 20 V 40 A 136 W - 40 C + 175 C IGBT7 T7 Tube
Infineon Technologies 绝缘栅双极晶体管(IGBT) 650 V, 40 A IGBT with anti-parallel diode in TO-247 package
数据表
7,672库存量
最低： 1
倍数： 1

Si TO-247-3 Through Hole Single 650 V 1.35 V - 20 V, 20 V 76 A 230.8 W - 40 C + 175 C IGBT7 T7 Tube
Infineon Technologies 绝缘栅双极晶体管(IGBT) 650 V, 30 A IGBT with anti-parallel diode in TO-247 package
数据表
1,511库存量
最低： 1
倍数： 1

Si TO-247-3 Through Hole Single 650 V 1.35 V - 20 V, 20 V 60 A 188 W - 40 C + 175 C IGBT7 T7 Tube
Infineon Technologies 绝缘栅双极晶体管(IGBT) 650 V, 75 A IGBT with anti-parallel diode in TO-247 package
数据表
2库存量
720预期 2026/5/21
最低： 1
倍数： 1

Si TO-247-3 Through Hole Single 650 V 1.35 V - 20 V, 20 V 80 A 333 W - 40 C + 175 C IGBT7 T7 Tube
Infineon Technologies 绝缘栅双极晶体管(IGBT) 650 V, 50 A IGBT with anti-parallel diode in TO-247 package
数据表
605在途量
最低： 1
倍数： 1

Si TO-247-3 Through Hole Single 650 V 1.35 V - 20 V, 20 V 80 A 273 W - 40 C + 175 C IGBT7 T7 Tube