低损耗Duopack IGBT

英飞凌科技低损耗Duopack IGBT采用Trenchstop™和Fieldstop™技术,实现可靠的湿度设计。该低损耗Duopack IGBT具有非常软的快速恢复反向并联二极管、短拖尾电流和极低VCEsat。

结果: 5
选择 图像 零件编号 制造商 描述 数据表 供货情况 单价(含13%增值税) 根据您的数量,按照单价筛选表格中的结果。 数量 RoHS ECAD模型 技术 封装 / 箱体 安装风格 配置 集电极—发射极最大电压 VCEO 集电极—射极饱和电压 栅极/发射极最大电压 在25 C的连续集电极电流 Pd-功率耗散 最小工作温度 最大工作温度 系列 封装
Infineon Technologies 绝缘栅双极晶体管(IGBT) 650 V, 30 A IGBT with anti-parallel diode in TO-247 package 3,186库存量
720预期 2026/10/20
¥41.0303
¥22.7469
¥18.7806
¥16.8709
¥14.803
最低: 1
倍数: 1
Si TO-247-3 Through Hole Single 650 V 1.35 V - 20 V, 20 V 60 A 188 W - 40 C + 175 C IGBT7 T7 Tube
Infineon Technologies 绝缘栅双极晶体管(IGBT) 650 V, 40 A IGBT with anti-parallel diode in TO-247 package 764库存量
¥45.9119
¥28.2048
¥21.8316
¥17.9444
最低: 1
倍数: 1
Si TO-247-3 Through Hole Single 650 V 1.35 V - 20 V, 20 V 76 A 230.8 W - 40 C + 175 C IGBT7 T7 Tube
Infineon Technologies 绝缘栅双极晶体管(IGBT) 650 V, 75 A IGBT with anti-parallel diode in TO-247 package 834库存量
¥57.7317
¥33.0864
¥27.6285
¥27.5494
¥25.3911
最低: 1
倍数: 1
Si TO-247-3 Through Hole Single 650 V 1.35 V - 20 V, 20 V 80 A 333 W - 40 C + 175 C IGBT7 T7 Tube
Infineon Technologies 绝缘栅双极晶体管(IGBT) 650 V, 20 A IGBT with anti-parallel diode in TO-247 package 470库存量
¥34.578
¥19.0292
¥15.6279
¥12.9837
¥12.7351
最低: 1
倍数: 1
Si TO-247-3 Through Hole Single 650 V 1.35 V - 20 V, 20 V 40 A 136 W - 40 C + 175 C IGBT7 T7 Tube
Infineon Technologies 绝缘栅双极晶体管(IGBT) 650 V, 50 A IGBT with anti-parallel diode in TO-247 package
1,430在途量
¥50.8726
¥29.4478
¥24.3967
¥20.679
最低: 1
倍数: 1
Si TO-247-3 Through Hole Single 650 V 1.35 V - 20 V, 20 V 80 A 273 W - 40 C + 175 C IGBT7 T7 Tube