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SIA433EDJ-T1-GE3

Name: Vishay SIA433EDJ-T1-GE3
Brand: Vishay Semiconductors
SKU: 781-SIA433EDJ-GE3
Price: 8.78 RMB
Availability: InStock

图像仅供参考
请参阅产品规格

Mouser编号：

781-SIA433EDJ-GE3

制造商编号：

SIA433EDJ-T1-GE3

制造商：

Vishay Semiconductors

说明：

MOSFET -20V Vds 12V Vgs PowerPAK SC-70

数据表:

SIA433EDJ-T1-GE3 数据表

ECAD模型:

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库存量: 2,175

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在途量:: 6,000

预期 2027/4/8
生产周期：: 29

周大于所示数量的预计工厂生产时间。

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最少： 1 倍数： 1

单价:

¥-.--

总价:

¥-.--

预估关税:

封装:

整卷卷轴（请按3000的倍数订购）

剪切带

MouseReel™ (+¥15.00)

定价 (含13% 增值税)

数量	单价	总价
剪切带/MouseReel™ ^†
	¥9.9214	¥9.92
	¥6.102	¥61.02
	¥4.0793	¥407.93
	¥3.3109	¥1,655.45
	¥2.9719	¥2,971.90
整卷卷轴（请按3000的倍数订购）
	¥2.6668	¥8,000.40
	¥2.4747	¥14,848.20

† ¥15.00 MouseReel™费将被加上并在购物车计算。所有MouseReel™订单均不可撤消和退回。 ↩

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产品属性	属性值	选择属性
制造商:	Vishay
产品种类:	MOSFET
RoHS:
技术:	Si
安装风格:	SMD/SMT
封装 / 箱体:	SC-70-6
晶体管极性:	P-Channel
通道数量:	1 Channel
Vds-漏源极击穿电压:	20 V
Id-连续漏极电流:	12 A
Rds On-漏源导通电阻:	15 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压:	- 12 V, 12 V
Vgs th-栅源极阈值电压:	1.2 V
Qg-栅极电荷:	75 nC
最小工作温度:	- 55 C
最大工作温度:	+ 150 C
Pd-功率耗散:	19 W
通道模式:	Enhancement
商标名:	TrenchFET, PowerPAK
封装:	Reel
封装:	Cut Tape
封装:	MouseReel
商标:	Vishay Semiconductors
配置:	Single
下降时间:	3.5 us
正向跨导 - 最小值:	35 S
产品类型:	MOSFETs
上升时间:	0.6 us
系列:	SIA
工厂包装数量:	3000
子类别:	Transistors
晶体管类型:	1 P-Channel
典型关闭延迟时间:	10 us
典型接通延迟时间:	0.3 us
零件号别名:	SIA433EDJ-GE3
单位重量:	41 mg

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已选择的属性: 0

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数据表

SIA433EDJ-T1-GE3 数据表

Models

PCN

Technical Resources

REACH Certificate (PDF)

合规代码

CNHTS:: 8541290000
TARIC:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
KRHTS:: 8541299000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

原产地分类

原产国:: 德国
组装原产国/地区:: 不可用
扩散国家:: 不可用

发货时，国家/地区可能会发生变化。

SiA433EDJ 20V P通道TrenchFET®第三代MOSFET

Vishay/Siliconix SiA433EDJ 20V P通道TrenchFET^®第三代MOSFET具有低导通电阻。SiA433EDJ MOSFET的工作温度范围是-55ºC至150ºC。该功率MOSFET可采用单配置PowerPAK^® SC-70封装尺寸。SiA433EDJ MOSFET提供可满足各种应用的导通电阻等级。特性包括采用齐纳二极管的内置ESD保护。应用包括各类便携式器件，如负载开关、电池开关和充电器开关。

TrenchFET第三代P通道功率MOSFET

Vishay/Siliconix TrenchFET^®第三代P通道功率MOSFET具有低导通电阻和低电压降，可提高效率并延长电池使用时间。这些功率MOSFET有多种封装尺寸可供选择。该款P通道MOSFET具有适用于各种应用的额定导通电阻。应用包括负载开关、适配器开关、电池开关、直流电机和充电器开关。

工业电源解决方案

Vishay提供业界最广泛的半导体和无源元件产品组合，适用于工业电源应用。Vishay工业电源用产品组合包括功率MOSFET、功率IC、整流器、二极管、电容器、电阻器和电感器。

TrenchFET® MOSFETs

Vishay / Siliconix TrenchFET^® MOSFETs feature P- and N-channel silicon technology enabling these devices to provide excellent on-resistance specifications of 1.9mΩ in the PowerPAK^® SO-8. Theses MOSFETs have on-resistance as low as half the level of the next best devices on the market. N-Channel MOSFETs offer a 40V to 250V drain-source breakdown voltage range, 375W power dissipation rating, and ThunderFET power depending on the model. The P-Channel MOSFETs feature up to 2 channels, SMD and through-hole mounting, and a 12V to 200V drain-source breakdown voltage range.